納米聚苯胺界面合成及其電磁屏蔽性能研究.pdf

1、本文回顧了聚苯胺的發(fā)展歷史，簡(jiǎn)述聚苯胺的合成方法及聚合機(jī)理。對(duì)聚苯胺的結(jié)構(gòu)及摻雜方法、摻雜機(jī)制進(jìn)行概述。討論反應(yīng)條件對(duì)合成聚苯胺的影響。
　　采用四探針法、紅外光譜分析(FTIR)、紫外-可見吸收光譜(UV-Vis)、X-射線衍射分析(XRD)、熱失重分析(TGA)、掃描電鏡(SEM)等分析手段對(duì)聚苯胺進(jìn)行表征，并系統(tǒng)研究了聚苯胺電導(dǎo)率與制備工藝參數(shù)的關(guān)系，不同體系正己醇/水、乙醇/水、正丁醇/水下界面聚合制備的聚苯胺的電磁屏蔽性

2、能。要研究結(jié)果如下:
　　(1)首先通過正交實(shí)驗(yàn)得出基本的制備工藝，得到合成聚苯胺時(shí)采用的攪拌速度，攪拌時(shí)間，HCl摻雜時(shí)間及真空干燥時(shí)間。在此基礎(chǔ)上探討有機(jī)溶劑/水反應(yīng)體系中，三種有機(jī)溶劑的含量、反應(yīng)時(shí)鹽酸的濃度、APS氧化劑用量對(duì)聚苯胺導(dǎo)電性能的影響。使用最優(yōu)工藝聚合的聚苯胺電導(dǎo)率最大為3.55 S·cm-1。
　　(2)采用界面聚合法最優(yōu)工藝制備出的聚苯胺納米纖維直徑在50nm～100nm之間，長(zhǎng)度在600nm至幾微米

3、不等。
　　(3)通過FTIR分析對(duì)比不同反應(yīng)體系下得到的聚苯胺的電子狀態(tài)帶峰強(qiáng)弱與電導(dǎo)率之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，UV-vis譜表明正丁醇/水條件下ABS1/ABS2更接近于導(dǎo)電的半氧化半還原態(tài)，通過XRD分析得出有機(jī)溶劑對(duì)聚苯胺晶體結(jié)構(gòu)的有一定影響，使用熱失重(TGA)研究聚苯胺的熱穩(wěn)定性，模擬分析表明聚苯胺的熱分解反應(yīng)機(jī)理服從D1一維擴(kuò)散反應(yīng)機(jī)理。
　　(4)分別研究三種體系條件下制備的聚苯胺的電磁屏蔽性能，制備的聚苯胺電導(dǎo)率越