高介電銅氧化物陶瓷的制備及性能研究.pdf

1、高介電常數(shù)氧化物是一類重要的功能材料，在微電子等工業(yè)領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用價(jià)值。理解高介電常數(shù)對(duì)氧化物制備條件的依賴關(guān)系及其物理起源具有重要的學(xué)術(shù)意義。與近十年來廣泛研究的復(fù)雜氧化物CaCu3Ti4O12相比，結(jié)構(gòu)和成分簡單的CuO具備類似的高介電性質(zhì)，但受關(guān)注較少。本研究以CuO陶瓷為對(duì)象，通過Cu2O摻雜制備成多種陶瓷，運(yùn)用多種手段表征陶瓷的性質(zhì)，利用唯象模型進(jìn)行介電機(jī)理分析。具體研究包括：
　　1. CuO陶瓷高介電機(jī)理研究。采

2、用傳統(tǒng)固相反應(yīng)法制備了CuO陶瓷，測得樣品介電常數(shù)對(duì)溫度和頻率的依賴關(guān)系。基于晶粒是半導(dǎo)體、顆粒間界為絕緣體假定，綜合運(yùn)用麥克斯韋-瓦格納機(jī)制（Maxwell-Wagner-type）、Arrhenius關(guān)系和Cole-Cole方程，理論上較好地?cái)M合了中、低溫段CuO陶瓷的介電溫譜，指出在中、低溫區(qū)CuO陶瓷晶粒具有半導(dǎo)體性。
　　2. Cu2O摻雜對(duì)CuO陶瓷性質(zhì)的影響研究。針對(duì)CuO陶瓷晶粒的半導(dǎo)體性是由于銅揮發(fā)出現(xiàn) Cu3+