2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、根據(jù)NAND flash存儲器的特點與性能,推導出了NAND flash存儲器的糾錯系統(tǒng)參數(shù)設計的方法。針對NAND flash存儲器,設計了一種模式可配置的糾錯系統(tǒng)的電路結構,該結構可以預防錯誤位數(shù)大于設計糾錯位數(shù)的情況發(fā)生。在傳統(tǒng)串行BCH編譯碼算法電路設計方法的基礎上,導出8位并行的BCH編譯碼算法電路設計方法。提出了一種高速并行BCH編譯碼的電路設計方法,并導出一種無需有限域求逆運算的BM迭代算法的硬件實現(xiàn)方法。通過對求解有限域

2、方程模塊復用的方法,同時結合流水線技術與乒乓操作技術,巧妙的實現(xiàn)以較小的硬件邏輯資源開銷獲得糾錯系統(tǒng)性能的提高。完成電路功能設計后,使用Modelsim軟件對糾錯系統(tǒng)電路進行了詳細的功能仿真分析。對糾錯系統(tǒng)電路進行了功耗估計分析,并采取了一定的優(yōu)化設計方法降低電路的整體功耗。該糾錯系統(tǒng)電路已在Altera公司的EP4CE15E22C8系列FPGA芯片上實現(xiàn),并進行了測試分析,測試結果表明,在相同的系統(tǒng)工作頻率下,該糾錯系統(tǒng)電路的數(shù)據(jù)吞吐

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