旋轉(zhuǎn)面共形陣列優(yōu)化設(shè)計算法.pdf

1、將天線陣元安裝在飛行器表面形成共形陣列天線，共形陣列天線可以提高武器的性能。為了使共形陣列天線具有強方向性，需要將共形陣列天線的孔徑做得很大，同時，為了減小天線系統(tǒng)的成本，則要盡可能的減少陣元數(shù)目。稀布陣列天線研究在大的陣列孔徑范圍內(nèi)如何布置較少的天線單元使天線的性能較優(yōu)。因此，運用陣元稀布的方法可以解決上述問題。
　　 天線的峰值旁瓣電平是天線陣列的一個重要技術(shù)指標，它是關(guān)于陣元位置的復(fù)雜的非線性函數(shù)。對天線的峰值旁瓣電平的優(yōu)

2、化是屬于非線性最優(yōu)化問題，很難通過傳統(tǒng)數(shù)值優(yōu)化方法來得到解析解。模擬退火算法和遺傳算法是一種全局的、只需要利用評價函數(shù)信息的隨機優(yōu)化方法，它對最優(yōu)化的求解具有普遍適用性，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，用于函數(shù)優(yōu)化時，對非線性、多模型和多目標的最優(yōu)化具有很好的適應(yīng)性。
　　 本文將共形陣列天線和稀布陣列天線的技術(shù)相結(jié)合，針對幾種較復(fù)雜的共形陣列模型——圓錐陣列，圓柱陣列和同心圓環(huán)陣列，以模擬退火算法和遺傳算法為優(yōu)化工具，對這些共形陣列進行稀疏

3、，稀布優(yōu)化綜合，使它們對應(yīng)的峰值旁瓣電平降低。本文的主要內(nèi)容和創(chuàng)新之處包括：
　　 1.介紹了標準遺傳算法和標準模擬退火算法的基本概念、工作原理、算法流程及其應(yīng)用范圍。
　　 2.推導(dǎo)了任意陣列的方向圖函數(shù)，并給出幾類典型陣列的方向圖函數(shù)。以圓錐陣列的方向圖函數(shù)為基礎(chǔ)構(gòu)造了一個評價圓錐陣列峰值旁瓣電平的適應(yīng)度函數(shù)，運用模擬退火算法對其進行稀疏布陣。
　　 3.固定陣列孔徑，陣元數(shù)目以及設(shè)定最小陣元間距，在這些約束