SnO2-F薄膜的制備及過渡層對其性能影響.pdf

1、SnO2∶F(FTO)具有優(yōu)良透光性和導(dǎo)電性，被廣泛應(yīng)用于低輻射玻璃、太陽能電池、平板顯示器等領(lǐng)域。隨著這類器件的廣泛應(yīng)用，人們對它的光電性能要求也是越來越高。為了進(jìn)一步提高SnO2∶F薄膜光電性能，本文從過渡層對其光電性能的影響開始，選擇三種過渡層材料SnO2、 TiO2、SiO2，制備不同過渡層的FTO薄膜并對其性能進(jìn)行研究，以改善功能層FTO薄膜的光學(xué)和電學(xué)性能。
　　首先研究了不含過渡層的FTO薄膜的制備工藝，發(fā)現(xiàn)薄膜厚度

2、對SnO2∶F薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、光電性能的影響很大。當(dāng)膜厚為300nm左右時，F(xiàn)TO薄膜樣品性能達(dá)到了低輻射玻璃的要求;當(dāng)純的無摻雜SnO2作為過渡層時，F(xiàn)TO薄膜導(dǎo)電性能幾乎不變，但透光率和低輻射系數(shù)都還降低。因此在本實驗中，SnO2薄膜不宜于作為FTO的過渡層;以TiO2薄膜作為過渡層時，由于TiO2以金紅石結(jié)構(gòu)存在，具有(200)生長取向，能夠誘導(dǎo)FTO薄膜沿(200)取向生長，得到的FTO/TiO2薄膜比單層FTO薄膜光電