聯苯二胺類空穴傳輸材料的冷結晶性和薄膜穩(wěn)定性研究.pdf

1、空穴傳輸材料是一種非常重要的有機光電材料，可應用于多種有機半導體器件中。熱穩(wěn)定性是空穴傳輸材料非常重要的性質之一，當熱穩(wěn)定性較差的無定形材料在器件中發(fā)生聚集或結晶時會影響器件的效率和壽命。無定形的物質在受熱時發(fā)生的結晶行為稱為冷結晶，這一行為最易發(fā)生在器件的工作中。玻璃化溫度（Tg）是表征材料熱穩(wěn)定性的非常重要的參數之一，但是又不能概括材料在器件中的冷結晶行為和薄膜受熱后的形貌變化。因此，本文采用了四個最常見的空穴傳輸材料，利用DSC研

2、究了材料的粉末非等溫冷結晶動力學，以UV-vis光譜, XRD，SEM，AFM和TOF為手段研究了薄膜熱誘導穩(wěn)定性。
　　N,N,N′,N′-四苯基-1,1′-聯苯4,4′-二胺（TPB）和N,N,N′,N′-四（對甲苯基）-1,1′-聯苯4,4′-二胺（TTB）較易發(fā)生冷結晶行為。提高升溫速率能夠增加樣品的冷結晶速率，但當升溫速率分別升至40℃/min和30℃/min后由于二次結晶的影響冷結晶速率不再上升。TPB的冷結晶行為隨著

3、退火處理的進行會由成核控制轉變?yōu)樯L控制，而TTB則一直是成核控制。相同條件下TPB的冷結晶速率大于TTB。這兩種材料都可以通過真空蒸鍍形成無定形薄膜，經過退火后薄膜會出現堆積甚至發(fā)生冷結晶。TPB薄膜退火后有序度高于TTB薄膜，在相同處理條件下有著更高的空穴遷移率。
　　N,N′-二苯基-N,N′-二（間甲苯基）-1,1′-聯苯4,4′-二胺（m-TPD）和N,N′-二苯基-N,N′-二（對甲苯基）-1,1′-聯苯4,4′-二胺

4、（p-TPD）在簡單加熱過程中不易發(fā)生冷結晶，但是經過退火處理后則能夠發(fā)生冷結晶。m-TPD在較寬的退火溫度范圍內都表現出了冷結晶的性質，在0℃至50℃之間退火時表現為成核控制，其余表現為生長控制。介電譜的研究表明，m-TPD分子整體運動在48℃以上會加強，使無定形態(tài)m-TPD更不穩(wěn)定。p-TPD在0℃至50℃之間退火時能夠發(fā)生冷結晶，為成核控制，在此溫度范圍內的相同條件下，p-TPD的冷結晶速率高于m-TPD。經過退火后，p-TPD薄