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1、造渣精煉和真空熔煉作為冶金法提純太陽能級(jí)多晶硅的基本工藝,是去除工業(yè)硅中磷硼雜質(zhì)和主要金屬雜質(zhì)的有效方法。由于磷硼雜質(zhì)的化學(xué)特性不同,單個(gè)工藝不能同時(shí)有效地去除磷和硼。因此,必須將兩種工藝加以組合優(yōu)化以達(dá)到太陽能級(jí)多晶硅對(duì)關(guān)鍵雜質(zhì)的純度要求。
本論文將造渣精煉和真空熔煉兩種提純工藝進(jìn)行組合優(yōu)化,分析了組合工藝對(duì)多晶硅中雜質(zhì)(尤其是雜質(zhì)磷元素)去除效果的影響,研究了造渣精煉對(duì)真空揮發(fā)除磷工藝的影響規(guī)律,同時(shí)探討了造渣精煉后主要雜
2、質(zhì)的賦存分布規(guī)律,并且結(jié)合理論分析了雜質(zhì)磷在兩種工藝過程中的變化規(guī)律和影響因素,通過工藝改進(jìn)提高了除磷效果。其主要研究結(jié)果如下:
1、“造渣—真空”工藝更有利于工業(yè)硅中磷等雜質(zhì)的去除。同時(shí)在采用CaO-SiO2、CaO-SiO2-CaF2、CaO-SiO2-MgO、CaO-SiO2-BaO、CaO-SiO2-Al2O3和CaO-SiO2-CaCl2六種渣系進(jìn)行“造渣—真空”工藝后,得到了各不相同的除磷效果,其中采用CaO-Si
3、O2-CaCl2渣系的除磷效果最好,雜質(zhì)磷的去除率可達(dá)96.60%。
2、渣系CaO/SiO2比對(duì)組合工藝的除磷效果影響較大。采用CaO-SiO2-CaCl2渣系進(jìn)行“造渣—真空”提純時(shí),硅中磷含量與CaO/SiO2比呈近似的線性關(guān)系,渣系CaO/SiO2比為0.8時(shí)除磷效果最好,隨著CaO/SiO2比的增加,雜質(zhì)磷的去除效果越來越差。
3、通過實(shí)驗(yàn)與理論相結(jié)合發(fā)現(xiàn):采用CaO-SiO2-CaCl2渣系進(jìn)行造渣精煉,
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