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文檔簡介
1、隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，來自量子隧穿和電容耦合效應等問題的挑戰(zhàn)使得傳統(tǒng)Flash存儲器技術(shù)難以滿足摩爾定律的發(fā)展，在后摩爾時代采用新型非揮發(fā)性存儲技術(shù)成為必然。基于電阻轉(zhuǎn)變機制的新型非揮發(fā)存儲器越來越多地受到工業(yè)界和學術(shù)界的關(guān)注。近些年，阻變存儲器技術(shù)取得了迅速發(fā)展，但是在該領域還存在一些關(guān)鍵性的問題沒有解決，如:不明確的電阻轉(zhuǎn)變機制以及其內(nèi)部的載流子輸運機制、較差的轉(zhuǎn)變參數(shù)離散性、較高的功耗以及陣列集成中的漏電問題等。本文在
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