光纖原料高純四氯化硅精制工藝研究.pdf

1、針對目前國內(nèi)多晶硅行業(yè)內(nèi)普遍存在的副產(chǎn)物四氯化硅處理難題，本文提出了使用副產(chǎn)物四氯化硅精制提純，制備高純四氯化硅作為光纖原料的工藝過程，并使用Aspen Plus軟件通過流程模擬、設(shè)計(jì)優(yōu)化和流程改進(jìn)，達(dá)到了理想的效果。本文的主要研究工作和結(jié)果如下：
　?。?）從多晶硅副產(chǎn)物冷氫化高沸物出發(fā)，以光纖原料品質(zhì)需求為目標(biāo)，設(shè)計(jì)模擬了精餾法精制高純四氯化硅的工藝流程，談?wù)撓嚓P(guān)設(shè)計(jì)和操作參數(shù)對工藝的影響，包括塔板數(shù)、回流比數(shù)、進(jìn)料位置等，確

2、定了最佳的工藝條件，通過模擬該工藝產(chǎn)品四氯化硅純度達(dá)到99.99999％以上，滿足光纖原料品質(zhì)要求。
　?。?）在原有設(shè)計(jì)工藝流程上，使用差壓熱耦合節(jié)能技術(shù)對原工藝進(jìn)行改進(jìn)，對比了差壓熱耦合技術(shù)精制四氯化硅工藝和原有工藝，結(jié)果表明使用差壓熱耦合能夠在獲得更高產(chǎn)品品質(zhì)基礎(chǔ)上降低能耗40%以上，同時(shí)還節(jié)省了設(shè)備投資，具有很高的應(yīng)用前景。
　　（3）提出了將隔壁精餾技術(shù)應(yīng)用在精制高純四氯化硅過程中，運(yùn)用Aspen Plus軟件使用

3、對工藝進(jìn)行了模擬和優(yōu)化。優(yōu)化為：全塔高度150塊理論板，預(yù)分離段高度119塊理論板，公共精餾段高度20塊理論板，公共提餾段高度11塊理論板，進(jìn)料位置為第69塊塔板，采出位置為第80塊塔板，液相分配比為1.8，氣相分配比為0.7。結(jié)果表明隔壁精餾塔工藝產(chǎn)品純度優(yōu)于原工藝，并且節(jié)約能耗20%以上，還能大大降低設(shè)備投資，具有高效節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)
　　（4）對吸附法精制四氯化硅工藝進(jìn)行了探索性研究，研究了四氯化硅中硼雜質(zhì)的吸附除雜過程，討論了吸