三種稀土復合氧化物合成及其發(fā)光性能研究.pdf

1、與傳統(tǒng)的固態(tài)照明技術（白熾燈、熒光燈）相比，白光發(fā)光二極管（white-light-emitting diodes，WLED）固態(tài)照明有顯著的優(yōu)點，如：驅動電壓低、使用壽命長、適用性廣、顏色可調、環(huán)境友好等。但目前應用在～400nm近紫外-紫外芯片上的三基色熒光粉光效不高，穩(wěn)定性差。因此，研究新型的近紫外InGaN-LED用熒光粉具有重要的學術意義和實際應用前景。我們采用高溫固相法合成了三種不同基質的熒光粉，分別進行了X射線粉末衍射（X

2、-ray powder diffraction，XRD）表征和發(fā)光性能測試，并將性能良好的熒光粉與～395nm InGaN芯片結合制成單色LED器件，研究其電致發(fā)光性能，主要研究內容如下。
　?。?）LaBSiO5: Ln3+（Ln3+= Eu3+、Tb3+、Ce3+）系列熒光粉：首先我們研究了La1-xBSiO5:xEu3+系列熒光粉的發(fā)光性能。它們在近紫外光區(qū)具有很強的激發(fā)峰，最強激發(fā)峰位于395nm處，在近紫外光激發(fā)下，樣品

3、表現(xiàn)出很強的紅光發(fā)射（619nm）。為了進一步提高樣品的紅光發(fā)射效率，我們在樣品中引入了適量的Al3+離子。在395nm光激發(fā)下，La0.70B0.75SiO5:0.30Eu3+,0.25Al3+紅光發(fā)射強度是Y2O2S:0.05Eu3+熒光粉的3.8倍。將La0.70B0.75SiO5:0.30Eu3+,0.25Al3+熒光粉與395nm的InGaN芯片結合，制作紅色LED，它們發(fā)光性能良好。其次我們研究了La1-xBSiO5:xTb

4、3+和La1-yBSiO5:yCe3+系列熒光粉的發(fā)光性能。在544nm光監(jiān)測下，樣品La1-xBSiO5:xTb3+在紫外光區(qū)具有很寬的激發(fā)峰（270～300nm），這對應于基質的電荷遷移帶，在300～390nm出現(xiàn)一系列尖峰，這對應于Tb3+的f-f躍遷。在紫外光激發(fā)下，樣品表現(xiàn)出很強的綠光發(fā)射。La1-yBSiO5:yCe3+系列熒光粉在330nm光激發(fā)下，355nm和376nm處有兩個寬的發(fā)射峰。最后我們通過Ce3+，Tb3+共

5、摻，提高了Tb3+的綠光發(fā)射，并研究了在La1-x-zBSiO5:xTb3+,zCe3+體系中Ce3+到Tb3+能量傳遞過程。
　　（2）LaMoBO6:Ln3+（Ln3+=Eu3+、Sm3+、Tb3+）系列熒光粉：首先我們研究了La1-xMoBO6:xEu3+系列熒光粉的發(fā)光性能。當Eu3+的濃度為40％時，樣品的紅光發(fā)射最強。通過Al3+離子的引入，我們優(yōu)化了樣品的發(fā)光性能。在395nm光激發(fā)下，La0.60MoB0.70O6

6、:0.40Eu3+,0.30Al3+的紅光發(fā)射強度約是La0.60MoBO6:0.40Eu3+的1.4倍。其次我們合成出La1-xMoBO6:xSm3+系列熒光粉，在403nm光激發(fā)下，可觀察到Sm3+離子的特征紅光發(fā)射峰（598nm，4G5/2→6H7/2）。最后我們研究了La1-xMoBO6:xTb3+系列熒光粉的發(fā)光性能，當Tb3+離子的濃度為100%時，樣品的發(fā)射最強，沒有觀察到Tb3+離子的濃度猝滅效應。繼而我們進一步對TbM

7、oBO6的發(fā)光性能進行優(yōu)化，合成了TbMo1-yBO6:yW6+系列熒光粉。當W6+的濃度為10%時，樣品的綠光發(fā)射強最強。
　?。?）La2Mo2O9: Ln3+（Ln3+= Eu3+、Sm3+）系列熒光粉：首先我們研究了La2(1-x)Mo2O9:2xEu3+系列熒光粉的發(fā)光性能，它們在395nm和465nm處都具有很強的激發(fā)，并表現(xiàn)出很強的紅光發(fā)射。當Eu3+的濃度為0.60時，樣品La1.40Mo2O9:0.60Eu3+的