基于InGaAs MOSFET的E類功率放大器的研究.pdf

1、傳統(tǒng)硅基 CMOS集成技術(shù)遵循摩爾定律通過不斷縮小特征尺寸來提高器件的工作速度、增加集成度以及降低成本，然而在進入納米時代后開始面臨著來自技術(shù)層面和物理層面的雙重挑戰(zhàn)。InGaAs MOSFET因其優(yōu)越的電子遷移率，成為了下一代CMOS技術(shù)的研究熱點。本論文主要基于中科院微電子研究所器件及其制造工藝，以InGaAs MOSFET功率器件和射頻E類功率放大器的設(shè)計為中心，分別開展了以下研究工作：
　　1.基于中科院微電子研究所工藝條

2、件，完成了InGaAs MOSFET功率器件的設(shè)計及制作，同時完成了GaAs背孔工藝的研究，實現(xiàn)了完整的InGaAs MOSFET MMIC制作工藝流程。
　　2.研究并完成了與InGaAs MOSFET工藝相兼容的50Ω/□的TaN薄膜電阻、Si3N4 MIM電容和螺旋電感無源器件制備?；贛IM電容和螺旋電感的測試和MOM仿真數(shù)據(jù)，完成了電容和電感的建模工作。同時本文還研究了 Al2O3介質(zhì)的厚度與 MIM電容的直流特性和射頻

3、特性之間的相互關(guān)系，為Al2O3介質(zhì)MIM電容應(yīng)用于InGaAs MOSFET MMIC電路做了一定的基礎(chǔ)。
　　3.完成了 InGaAs MOSFET從小信號模型到大信號模型的建模流程。根據(jù)InGaAs MOSFET功率器件結(jié)構(gòu)，建立小信號模型的等效拓撲結(jié)構(gòu)，提出小信號模型參數(shù)的直接提取方法。并利用 IC-CAP建模軟件和 ADS仿真軟件進行 InGaAs MOSFET的EEHEMT大信號模型提參建模以及后期擬合工作。