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1、化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)制備的石墨烯具有質(zhì)量高、尺寸大、層數(shù)可控等優(yōu)點,已成為石墨烯薄膜大規(guī)模生長的主要方法。石墨烯優(yōu)異的電學(xué)性能、光學(xué)性能也使得其在光電領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。優(yōu)化石墨烯的生長條件,降低銅箔表面石墨烯的形核密度是提高石墨烯質(zhì)量的有效途徑。在生長石墨烯的過程中,樣品經(jīng)常會出現(xiàn)雙層或多層區(qū)域,而這些多層區(qū)域中石墨烯的層間堆垛方式,也就是層間扭轉(zhuǎn)角度不盡相同。扭轉(zhuǎn)角度的差異
2、則會對石墨烯的電學(xué)、光學(xué)性質(zhì)造成重要的影響。本論文首先探究了雙氧水處理(包括溶液濃度及處理時間)對銅箔表面石墨烯形核密度的影響,并從銅箔表面含氧量和粗糙度這兩個角度分析其影響機制。實驗中發(fā)現(xiàn)雙氧水溶液處理銅箔可以有效降低石墨烯的形核密度。另外,我們研究了雙層石墨烯的層間扭轉(zhuǎn)角度對其拉曼信號的影響,實現(xiàn)了雙層石墨烯層間扭轉(zhuǎn)角度及其分布的快速識別。通過理論計算,我們還證明了雙層大角度石墨烯拉曼光譜中的D-like峰并不是由石墨烯中缺陷所導(dǎo)致
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