2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩79頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、V2O5半導(dǎo)體材料,具有良好的光電學(xué)性能,在紅外探測(cè)器、氣敏傳感器、濕敏傳感器、正極材料等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用潛能。但純的V2O5薄膜電阻很大,通過(guò)改進(jìn)制備工藝來(lái)降低 V2O5薄膜的電阻,以滿(mǎn)足不同器件的使用要求。
　　采用釩靶在氬氣和氧氣中進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射,在玻璃基體上制備了V2O5薄膜,利用XRD、四探針測(cè)試儀、紫外-可見(jiàn)近紅外分光光度計(jì)、AFM、SEM等對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、光電性能及形貌進(jìn)行表征和測(cè)試,分析了氧氬比和退火工藝對(duì) V2O

2、5薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。此外,設(shè)計(jì)了V2O5/V/V2O5三層膜結(jié)構(gòu),來(lái)降低 V2O5薄膜的電阻。
　　研究了氧氬比、退火溫度、退火氣氛等對(duì)玻璃基體上制備的V2O5薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響,得到制備 V2O5薄膜的最佳氧氬比為1.5:25,最佳退火工藝為450℃,保溫1h,空氣中退火。同時(shí),還研究了V層濺射時(shí)間對(duì)V2O5/V/V2O5三層膜電學(xué)性能的影響,得出當(dāng) V層濺射時(shí)間為25min時(shí),三層膜具有最佳電學(xué)性能,其方塊電阻為3

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論