Co基非晶絲復(fù)合磁場調(diào)制處理及其電鍍Ni連接基礎(chǔ)研究.pdf

1、本文以直徑φ40μm的Co基非晶絲為研究對象，研究復(fù)合磁場退火處理對非晶絲GMI效應(yīng)的影響規(guī)律。同時，研究非晶絲電鍍Ni工藝，分析鍍Ni后非晶絲可焊性的變化及鍍Ni連接對非晶絲GMI穩(wěn)定性的影響。
　　巨磁阻抗分析表明：與制備態(tài)及普通真空退火處理非晶絲相比，復(fù)合磁場退火能顯著改善非晶絲GMI效應(yīng)并提高磁場響應(yīng)靈敏度。優(yōu)化的退火工藝為：在300℃下保溫20min后升溫至400℃，同時在橫向磁場(α=90°)下保溫10min，10MH

2、z時，最大 GMI比率達(dá)310.7％，最大靈敏度達(dá)30.91%/Oe。適當(dāng)調(diào)整退火磁場與絲軸向夾角α可增大非晶絲環(huán)向磁各向異性，致使GMI曲線由單峰(SP)轉(zhuǎn)變?yōu)殡p峰(DPs)。
　　非晶絲經(jīng)過橫向復(fù)合磁場退火處理后，出現(xiàn)非對稱巨磁阻抗(AGMI)效應(yīng)。其原因為非晶絲在橫向磁場退火過程中，非晶絲內(nèi)部產(chǎn)生原子有序區(qū)阻礙原子磁矩隨外磁場轉(zhuǎn)動，導(dǎo)致環(huán)向磁化過程呈非對稱，引起AGMI效應(yīng)。
　　優(yōu)化的非晶絲電鍍 Ni工藝為在快速鍍鎳