版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、由于量子點(diǎn)在生物標(biāo)記、太陽能電池組件以及發(fā)光二極管等方面的應(yīng)用變的越來越廣泛,對(duì)其的研究也進(jìn)一步深入。然而,一些有毒有害而且在空氣中不穩(wěn)定的合成量子點(diǎn)的原料限制了其大規(guī)模的應(yīng)用。本文中針對(duì)上述問題,做了以下工作。
首先,使用了相對(duì)環(huán)保的原料與溶劑來合成核/殼量子點(diǎn),其中包括使用了硬脂酸鎘取代二甲基鎘作為鎘源、SeO2取代TOPSe等原材料的等效替代,還包括了使用無毒并且被廣泛的應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域的十八叔胺取代TOPO/TOP作
2、為反應(yīng)的溶劑,并且首次利用油酰油胺作為量子點(diǎn)合成中一種新的配體。
其次利用一種新的合成方法:“連續(xù)法”來合成核/殼量子點(diǎn),在140-210℃的范圍內(nèi)借鑒一鍋煮的方法合成CdSe核量子點(diǎn),無需“純化”的過程(大量的核量子點(diǎn)在“純化”的過程中損失),接著在CdSe核的前驅(qū)液中加入分別溶好的Cd、Zn或者S的前驅(qū)液,在不超過100℃的溫度下進(jìn)行ZnS和CdS/ZnS殼層的包覆。制各了Ⅰ-型核/殼量子點(diǎn),也就是通過在窄帶隙材料Cd
3、Se(Eg=1.74 eV)外面包覆寬帶隙材料一層ZnS(Eg=3.61 eV)或者兩層CdS(Eg=2.42 eV)/ZnS可以提高量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率量子產(chǎn)率大幅度的提高,經(jīng)過計(jì)算CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS核/殼量子點(diǎn)最高可以分別達(dá)到75%和89%,原因是由于通過帶隙的重組,使核量子點(diǎn)抗光氧化性和抗物理化學(xué)侵蝕性增強(qiáng)。
再次,通過連續(xù)法制備的CdSe核量子點(diǎn)、CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS核/殼
4、量子點(diǎn),其XRD譜顯示三者均為閃鋅礦結(jié)構(gòu),由于殼層材料ZnS和CdS相對(duì)于CdSe核具有較小的散射因子,所以核/殼量子點(diǎn)三強(qiáng)峰(即在(111)(220)和(311)三個(gè)晶面處的衍射峰)較單一核量子點(diǎn)向高角度移動(dòng)。對(duì)HRTEM像中二維格子清晰的量子點(diǎn)做快速傅里葉變換后,得到了那些量子點(diǎn)的晶相結(jié)構(gòu),應(yīng)證了CdSe核經(jīng)過包覆反應(yīng)前后均是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的結(jié)論。低倍的HRTEM照片可以清晰的看出,合成出的CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS核/
5、殼量子點(diǎn)具有良好的分散性,同時(shí)得到的EDS能譜可以直接計(jì)算出核CdSe與ZnS層和CdS/ZnS層的摩爾比。通過時(shí)效處理15-30天觀察核/殼量子點(diǎn)穩(wěn)定性也比單一量子點(diǎn)提高了很多。
最后,研究發(fā)現(xiàn),對(duì)量子點(diǎn)合成的精確控制可以通過控制兩個(gè)動(dòng)力學(xué)因素實(shí)現(xiàn)。量子點(diǎn)的尺寸的精確可控是通過調(diào)節(jié)合成的溫度,當(dāng)溫度在140-210℃變化時(shí),量子點(diǎn)的尺寸從1.9 nm變化到5.6 nm,發(fā)射峰從502 nm到620 nm。經(jīng)過分析得知,這
6、是由于溫度控制了分子和離子的擴(kuò)散速度,使得分子與離子在量子點(diǎn)表面的吸附與反應(yīng)的過程受到挾制所致。另外,通過對(duì)添加從1-5 mL不同量的油酸進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)油酸作為量子點(diǎn)的配位體與有機(jī)包覆劑,不僅起到防止團(tuán)聚的作用,其通過對(duì)溶液酸堿度的調(diào)節(jié)和自身濃度對(duì)擴(kuò)散的影響對(duì)于量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率起著至關(guān)重要的作用。
文中不僅提出一種新的方法來獲得高熒光效率的核/殼量子點(diǎn),而且將量子點(diǎn)對(duì)于應(yīng)用在敏化二氧化鈦太陽電池方面做了進(jìn)一步的探索
7、。實(shí)驗(yàn)中,利用甲苯做溶劑,將CdSe/ZnS核殼量子點(diǎn)外層包覆了一層TiO2,用于連接量子點(diǎn)與二氧化鈦基體,取代了巰基丙酸(MPA)和巰丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)等有機(jī)中間體。經(jīng)過表征,二氧化鈦以無定形相包覆在典型的立方相CdSe/ZnS核/殼量子點(diǎn)可以直接連接管線或者多孔結(jié)構(gòu)的二氧化鈦太陽能電池。通過優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件,最終發(fā)現(xiàn)包覆二氧化鈦的溫度在60℃左右最佳,而鈦酸丁酯與CdSe/ZnS核/殼量子的摩爾質(zhì)量比在1∶1時(shí)能夠?qū)ψ罱K的量
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 綠色化學(xué)途徑合成硒化物半導(dǎo)體量子點(diǎn).pdf
- 硒化鎘量子點(diǎn)的合成、改性及熒光編碼微球的制備.pdf
- 硒化鎘量子點(diǎn)的合成、改性及熒光磁性納米粒子的制備.pdf
- 硒化鎘量子點(diǎn)的生物毒性研究.pdf
- 硒化鎘和硒化鉛量子點(diǎn)的光譜特性及量子點(diǎn)光纖灌裝實(shí)驗(yàn).pdf
- 硒化鎘量子點(diǎn)的制備與光學(xué)特性研究.pdf
- 碲化鎘量子點(diǎn)智能熒光探針的研究.pdf
- 碲化鎘量子點(diǎn)熒光探針的合成及其在植物根部熒光成像研究中應(yīng)用.pdf
- 硒化鎘量子點(diǎn)對(duì)人皮膚細(xì)胞的毒性效應(yīng)研究.pdf
- 錳摻雜硒化鋅熒光量子點(diǎn)的水相合成及性能研究.pdf
- 硒化鎘量子點(diǎn)化合物的合成及表面修飾.pdf
- 基于硒化鎘量子點(diǎn)的有機(jī)無機(jī)雜化太陽電池.pdf
- 聚合物-硒化鎘量子點(diǎn)雜化太陽電池.pdf
- 基于硒化鎘量子點(diǎn)的懸浮微塊陣列免疫芯片的研究.pdf
- 硫硒化鎘量子點(diǎn)微晶玻璃制備及發(fā)光性能研究.pdf
- 基于電化學(xué)法的水相體系中碲化鎘及碲鋅鎘量子點(diǎn)的合成.pdf
- 水基濕化學(xué)法合成硒化鎘和鈦酸鋇鹽材料.pdf
- 金納米孔陣列對(duì)碲化鎘量子點(diǎn)熒光增強(qiáng)的研究.pdf
- 硒化鎘量子點(diǎn)的表面修飾及相關(guān)性質(zhì)的理論研究.pdf
- 高效熒光碳點(diǎn)合成及其功能復(fù)合材料研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論