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文檔簡介
1、本文基于GaN HEMT設計了S-C波段的超寬帶功率放大器。介紹了最近幾年的寬帶功率放大器的研究狀況以及功率放大器設計的種類指標參數(shù)的定義,介紹了目前寬帶功率放大器實現(xiàn)的方法,并設計制作了加電時序電路。共設計制作了三款寬帶功率放大器模塊,其中兩個3-8GHz中功率的寬帶功率放大器模塊(中級)和一個大功率(末級)的寬帶功率放大器模塊。前者最大輸出功率為38.5dBm,后者輸出功率為45dBm。
首先本文查閱了九十年代以來國內外對
2、超寬帶射頻功率放大器研究的成果和進展狀況。意識到了實現(xiàn)寬帶大功率放大器的緊迫性。通過對當前國內外成果的調查,分析出了國內外對寬帶功率放大器已經研究的內容和未來發(fā)展的方向。
然后簡單的討論和分析了射頻功率放大器的分類以及各自應用的特點。介紹了功率放大器中基本的設計指標和參數(shù),說明了在設計過程中應該注意那些問題。強調了“零”點電容的作用,介紹了基于GaN的新型負反饋電路結構以及微帶線理論,分析了微帶線在匹配過程中應該注意的問題。介
3、紹了屏蔽腔體設計過程注意的事項以及整個設計要具有工程性。強調了設計初始要了解整個微組裝的流程。
最后仿真并制作了三個不同的3-8GHz的寬帶功率放大器模塊,驅動級最大輸出功率為38.5dBm,末級輸出功率為45dBm。利用ADS分別對放大器的芯片進行了建模,并且對金絲鍵合線在HFSS中和ADS中的仿真模型進行了對比。本文對設計的功率放大器進行了加工制作和測試并對仿真結果和測試結果進行對比與分析。另外還制作了加電時序電路,并進行
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