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文檔簡介
1、在21世紀(jì),隨著信息技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)有的電子集成電路已經(jīng)接近其理論極限。集成光路作為新的信息載體,與集成電路相比,可以極大地提高通信速率。但是由于光子不具有與電子相同的定域性特點(diǎn),存在衍射極限,這就限制了光學(xué)器件的集成化。表面等離子體是一種金屬和介電材料交接面上的電磁波,其電磁場分布,在交界面兩側(cè)指數(shù)衰減,具有很高的局域性。利用表面等離子體,可以突破衍射極限,實(shí)現(xiàn)光學(xué)器件和回路的亞波長集成。本文的工作就是利用計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬的方法設(shè)計(jì)基于表
2、面等離子的光學(xué)元件。在本文中,我們?cè)O(shè)計(jì)了金屬一絕緣體一金屬(MIM)波導(dǎo)和金屬一絕緣體(MI)界面的連接器件和基于表面等離子體的太赫茲(THz)光學(xué)隔離器件
首先,為了實(shí)現(xiàn)MIM波導(dǎo)和MI界面之間的高效耦合,我們首先提出了一種新型的金屬-絕緣體-金屬-絕緣體(MIMI)結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中,當(dāng)MIMI界面上的材料的有效折射率高于MIMI狹縫中材料的有效折射率時(shí),通過選擇適當(dāng)?shù)腗IMI狹縫的寬度,可以實(shí)現(xiàn)MIMI結(jié)構(gòu)中的MIMI
3、狹縫和MIMI界面間的高效耦合。在第一個(gè)耦合長度的位置,耦合效率為82%。之后,通過使用一段長度等于其耦合長度的MIMI結(jié)構(gòu),將MIM波段和MI界面連接起來,我們獲得了一種可實(shí)現(xiàn)MIM波導(dǎo)和MI交界面單向高效耦合的結(jié)構(gòu)。通過模擬計(jì)算,這種結(jié)構(gòu)中,MIM波導(dǎo)和MI界面之間的耦合效率可達(dá)78%,并且這種耦合具有很好的單向性,其單向?qū)Ρ榷瓤蛇_(dá)1:127。另外這種結(jié)構(gòu)耦合,在相當(dāng)寬的光譜范圍內(nèi)都有較高的效率和單向性,所以其對(duì)波長的變化具有良好的
4、容忍能力。這種結(jié)構(gòu)可以用來實(shí)現(xiàn)MI交界面上單向高效的表面等離子體激發(fā),可以將MI界面上的電磁場能量壓縮到MIM波導(dǎo)之中,以實(shí)現(xiàn)MI界面上信號(hào)的集成化收集,可實(shí)現(xiàn)MIM波導(dǎo)和MI界面兩種結(jié)構(gòu)功能的結(jié)合,可作為高集成表面等離子回路中的重要接口器件。
在第二個(gè)工作中,實(shí)現(xiàn)了THz波段的基于表面等離子的光隔離器。從金屬-磁光材料(M-MO)交界面上表面等離子體的色散關(guān)系可以看出,對(duì)相同頻率的光,兩方向傳播的表面等離子體的傳播常數(shù)和
5、有效折射率不同,即具有非互易性。非互易性在接近表面等離子體共振頻率的位置最大,隨著波長的增大而減小。之后利用這種非互易性,我們提出了一種新型的M-MO非互易性波導(dǎo)。這種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)就是在金屬上放置有限寬度的MO材料。當(dāng)選擇MO材料的厚度,與單一的M-MO交界面相比,可以提高非互易性。并且,這種非互易性的提高,在THz波段更為明顯,可以使非互易折射率與光學(xué)波段接近。最后,利用這種M-MO波導(dǎo)構(gòu)成的環(huán)形腔,我們實(shí)現(xiàn)了THz波段光隔離器件。通過模
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