2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、閃存存儲(chǔ)器,以低價(jià)格、微體積、耐沖擊、低功耗、數(shù)據(jù)非易失等優(yōu)點(diǎn),在嵌入式便攜海量存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。但多級(jí)閃存(Multi-Level Cell NAND flash)操作速度慢、擦除次數(shù)有限、寫入前必須擦除等缺點(diǎn),是多級(jí)閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)必須考慮的問(wèn)題。
   本文采用SEP0718微處理器和K9G8G08U0M-PCB0存儲(chǔ)芯片硬件平臺(tái),以實(shí)現(xiàn)可快速讀取、快速啟動(dòng)、可可靠操作多級(jí)閃存、閃存壽命的有效延長(zhǎng)為目的,在Wi

2、ndows CE6.0操作系統(tǒng)的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了對(duì)多級(jí)閃存的支持、并實(shí)現(xiàn)了高性能的閃存底層驅(qū)動(dòng)程序。
   本文的主要研究工作和成果有:
   1.分析了Windows CE操作系統(tǒng)目前的閃存存儲(chǔ)系統(tǒng),特別是閃存驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)方案、扇區(qū)的映射機(jī)制及磨損均衡的實(shí)現(xiàn)機(jī)制,明確的給出了研究的意義,并提出了該文的研究方向。
   2.介紹了把直接內(nèi)存訪問(wèn)(DMA)機(jī)制應(yīng)用到閃存驅(qū)動(dòng)程序?qū)崿F(xiàn)讀、寫,解放了CPU以提高整個(gè)系統(tǒng)的效

3、率。分析并實(shí)現(xiàn)了雙片編程,大幅提高讀、寫、擦除的速度。
   3.本文設(shè)計(jì)了一種可使多級(jí)閃存可靠、高效運(yùn)行的閃存抽象層MFAL(MLC NAND Flash Abstract Layer)。主要引入了版本號(hào)的概念,提出了信息區(qū)信息集中存放策略來(lái)改進(jìn)扇區(qū)的映射機(jī)制,提高了系統(tǒng)啟動(dòng)速度,解決了MLC信息區(qū)不可重復(fù)寫入的問(wèn)題;引用區(qū)分冷熱數(shù)據(jù)的方法,實(shí)現(xiàn)了損耗均衡機(jī)制,提高了閃存的使用壽命。
   4.本文對(duì)所有的設(shè)計(jì)進(jìn)行了系

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