1GHz以上電磁屏蔽材料性能測(cè)試技術(shù)研究.pdf

1、隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備工作頻率在不斷提高，電磁輻射發(fā)射日益嚴(yán)重，因此屏蔽設(shè)計(jì)在電磁兼容領(lǐng)域就顯得越發(fā)重要，而在屏蔽設(shè)計(jì)的過(guò)程中就需要使用到屏蔽材料。目前在工程上得到廣泛應(yīng)用的屏蔽材料有平板型屏蔽材料、襯墊類(lèi)屏蔽材料、吸波材料等，本文主要研究平板型屏蔽材料及襯墊類(lèi)屏蔽材料的屏蔽性能測(cè)試技術(shù)。
　　本文分析了目前國(guó)內(nèi)外常用的平板型屏蔽材料及襯墊類(lèi)屏蔽材料的測(cè)試方法，在同軸傳輸線(xiàn)測(cè)試方法的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)制作了使用頻率上限為18GHz材

2、料遠(yuǎn)場(chǎng)屏蔽效能測(cè)試裝置;依據(jù)SAE ARP1705B-2012設(shè)計(jì)制作了使用頻率上限為10GHz導(dǎo)電襯墊轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試裝置。首先對(duì)兩種測(cè)試裝置的基本原理進(jìn)行分析;然后應(yīng)用基本原理進(jìn)行理論計(jì)算，建立測(cè)試裝置的基本模型;再使用HFSS電磁仿真軟件對(duì)測(cè)試裝置進(jìn)行仿真驗(yàn)證;最后加工制作并且對(duì)測(cè)試裝置進(jìn)行性能測(cè)試及應(yīng)用分析。18GHz材料遠(yuǎn)場(chǎng)屏蔽效能測(cè)試裝置的性能測(cè)試主要包括電壓駐波比VSWR、傳輸系數(shù)S21及測(cè)試動(dòng)態(tài)范圍，導(dǎo)電襯墊轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試裝置

3、的性能測(cè)試主要包括電壓駐波比VSWR、傳輸系數(shù)S21及測(cè)試裝置的測(cè)試動(dòng)態(tài)范圍。
　　實(shí)測(cè)分析表明，18GHz材料遠(yuǎn)場(chǎng)屏蔽效能測(cè)試裝置可以測(cè)試的頻率范圍為30MHz～17GHz，在此頻率范圍內(nèi)，電壓駐波比最大值為1.27，應(yīng)用此測(cè)試裝置對(duì)屏蔽材料進(jìn)行測(cè)試可知，測(cè)試裝置的重復(fù)性比較好，重復(fù)測(cè)試的最大偏差為3dB。導(dǎo)電襯墊轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試裝置的測(cè)試頻率為300kHz～7GHz，在此頻率范圍內(nèi)，電壓駐波比VSWR＜1.5，S21最大值為-32