2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文針對(duì)非摻雜多晶半導(dǎo)體薄膜晶體管(Thin Film Transistors, TFTs)的晶粒間界勢(shì)壘提出了一個(gè)適用的解析模型。首先,我們成功建立了基于物理描述的非摻雜多晶半導(dǎo)體TFTs晶粒間界勢(shì)壘高度的清晰的解析模型。此解析模型是基于離散晶粒分析(Discrete Grain Analysis)和U型的晶界缺陷態(tài)密度(Density Of States, DOS)分布得到的。解析解的求解過(guò)程用到了朗伯函數(shù)(Lambert W fu

2、nction),而且沒(méi)有引入額外的近似處理。通過(guò)與數(shù)值計(jì)算的結(jié)果以及多晶硅TFTs勢(shì)壘高度的實(shí)驗(yàn)值相比較,證實(shí)了此解析模型的正確性和有效性。經(jīng)過(guò)對(duì)模型中物理參數(shù)的仔細(xì)分析,清晰的揭示了物理參數(shù)對(duì)晶界勢(shì)壘的影響,更加深刻的理解晶界勢(shì)壘在載流子輸運(yùn)過(guò)程中的重要作用。其次,我們發(fā)現(xiàn)在DOS分布中深能態(tài)為主導(dǎo)的情況下,此解析模型和以前廣泛應(yīng)用的Seto提出的模型在閾值電壓以上的區(qū)域(the above-threshold region)吻合的很

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