碳漿印刷法及化學鍍Ni-P法制作埋嵌電阻工藝方法的初步研究.pdf

1、隨著集成電路(IC)高集成化、高密度化的發(fā)展，以及數(shù)字信號傳輸高頻化和高速化的發(fā)展，要求PCB向著小型化、輕便化方向發(fā)展。埋嵌電阻技術能夠節(jié)約大量的PCB安裝表面積，從而能夠增加PCB的布線自由度和集成密度。因此，埋嵌電阻技術將成為未來主流的封裝技術。
　　本文主要介紹了碳漿印刷法制作埋嵌電阻工藝，重點研究如何優(yōu)化工藝參數(shù)進而控制埋嵌電阻值的穩(wěn)定性。文中還就化學鍍鎳磷法進行了初步的研究，得到了一些基本規(guī)律和初步的工藝方法，掌握了使

2、用此方法制作埋嵌電阻容易出現(xiàn)的一些問題，并提出可行性的解決方法。
　　碳漿印刷法制作埋嵌電阻研究的是影響碳漿印刷法油墨轉移量的主要因素，使用正交優(yōu)化設計法對碳漿印刷法制作埋嵌電阻的工藝參數(shù)進行優(yōu)化。比較了61T和120T絲網(wǎng)絲印碳漿電阻的優(yōu)缺點，探討了酸洗，層壓對電阻值的影響。實驗結論表明，制作埋嵌電阻之前，一定要對碳漿油墨進行測試，以確定碳漿油墨的實際方塊電阻以及實際操作條件對電阻值的影響；影響碳漿電阻的主要因素是刮板的刮印壓力

3、和刮印速度，而固化溫度和時間是影響電阻層厚度的次要因素；使用120T絲網(wǎng)時，電阻表面和邊緣比使用61T絲網(wǎng)時效果好；酸洗之后電阻值變化較小，而層壓之后電阻電阻變化較大。最后，文中還對電阻進行恒溫恒濕可靠性測試。
　　化學鍍鎳磷法主要進行了以下幾方面的研究。研究了不同基材上化學鍍鎳磷的反應速率，并分析了影響反應速率的原因；比較了等離子蝕刻、堿性高錳酸鉀蝕刻、PI調整劑微蝕等三種不同粗化方法的鍍層結合強度；探討了不同pH時，化學鍍鎳磷

4、的反應速率以及鍍層的方塊電阻。實驗結果表明，等離子蝕刻粗化法，不僅能夠滿足鍍層結合力的要求，而且操作步驟簡單，不污染環(huán)境；隨著PH的減小，反應速率逐漸變慢，而鍍層的方塊電阻逐漸變大；當鍍液的pH為3.7和3.4時，沉鍍時間為3min~10min時，鍍層厚度可以控制在0.100μm~0.400μm，鍍層方塊電阻可以控制在15~200Ω/□之間。最后，文中還進行了埋嵌電阻的初步嘗試，通過實驗研究可知，在制作埋嵌電阻時，銅層與基材表面上由于化