金屬-氮化碳復合材料的制備及其對有機和生物小分子的光電催化.pdf

1、金屬/半導體復合材料的光電催化因其獨特的性能得到了人們的廣泛關(guān)注，尤其是在制氫和太陽能能量轉(zhuǎn)換等方面。將不同的金屬納米粒子和氧化物通過摻雜和植入的方法添加到半導體的晶格內(nèi)部，或者通過包裹和電鍍的方法固定在半導體表面，能有效地促進電子-空穴對的分離及提高光電催化性能。
　　石墨型氮化碳(g-C3N4)，這種新型的半導體光催化劑，因其穩(wěn)定性高、無毒、易于大規(guī)模制備而引起了研究者極大的興趣。然而，由于該材料的電導電阻大，基于C3N4材料

2、在光電催化方面的應用展開較少。金納米顆粒負載的半導體（如二氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化鈰等）能有效降低半導體的電導電阻，對各種氧化反應表現(xiàn)出了極高的催化活性。因此，我們采用檸檬酸鈉還原法將金納米顆粒負載到g-C3N4的表面，制得Au/g-C3N4復合材料，并用于有機小分子（甲酸、甲醛、乙醇）的催化氧化反應中。實驗結(jié)果表明:Au/g-C3N4能在較低氧化電位下實現(xiàn)對甲酸、甲醛、乙醇的光電催化氧化，且無催化劑中毒現(xiàn)象。
　　過渡金屬鎳