儲存環(huán)中高次諧波腔的有關(guān)計算研究.pdf

1、在電子儲存環(huán)中，高次諧波腔可以被用來改變束團長度。對于中低能電子儲存環(huán)，束流壽命主要受到托謝克散射的制約。利用高次諧波腔增加束團長度不僅可以增加束流壽命，而且對束流能散度和光源的亮度影響也很小。此外，特殊條件下在高亮度儲存環(huán)對撞機、儲存環(huán)自由電子激光和時間分辨實驗中使用高次諧波腔可有效縮短束團尺寸。本論文以合肥光源的參數(shù)為例計算研究了在儲存環(huán)中使用高次諧波腔拉伸和壓縮束團長度的相關(guān)問題。
　　 根據(jù)美國先進光源的Byrd先生所提

2、出的關(guān)于儲存環(huán)中諧波腔的分析模型，計算得到在均勻填充模式下加入四次諧波腔后理論上束團長度可以被拉伸到39mm，束流壽命大約為原來的2.75倍。論文計算研究了被動式高次諧波腔的常失諧和常電壓兩種主要的工作模式。特別是我們發(fā)展了一個基于多束團單粒子模型的縱向運動跟蹤程序，用于跟蹤計算被動式高次諧波腔對束團的影響。該程序不但能跟蹤計算束團均勻填充的情況，還能跟蹤計算束團非均勻填充的情況。跟蹤結(jié)果表明對于合肥光源的參數(shù)在非均勻填充模式下不能對束

3、團進行很好的拉伸。
　　 論文研究了使用高次諧波腔壓縮束團的相關(guān)理論，并首次給出了諧波腔壓縮束團時的最優(yōu)壓縮條件。在該條件下，計算結(jié)果表明束團最短可以被壓縮到7mm左右。論文還計算了加入諧波腔前后的同步頻散，用于探討使用諧波腔壓縮束團時對朗道阻尼的影響。
　　 我們首次提出在電子儲存環(huán)中應用雙模腔的技術(shù)，期望能節(jié)約儲存環(huán)的空間和成本。腔中的兩個縱向單極模分別與高頻腔和諧波腔在儲存環(huán)中的作用相當。我們還提出了一種適用的雙模