銀納米線制備觸控電極的工藝研究.pdf

1、透明導(dǎo)電材料一直被ITO所主導(dǎo)，但是隨著銦資源短缺、柔性觸控的快速發(fā)展以及更加廉價工藝的需求，許多替代型材料被人們研究出來。銀納米線材料是最近幾年熱門的研究方向，但多數(shù)限于實(shí)驗(yàn)室的應(yīng)用研究，對于大量工業(yè)生產(chǎn)的應(yīng)用條件還存在較大的空白，本文以量產(chǎn)工藝為條件對銀納米線觸控電極的制備展開研究，其中透明導(dǎo)電電極作為ITO替代電極，非透明低電阻電極作為新一代嵌入式觸控電極。
　　首先，以銀納米線分散液為材料制備了方塊電阻為15Ω/□，透過率

2、為93％的透明導(dǎo)電薄膜，優(yōu)化溶膠-凝膠制備條件可得到透過率為95％的透明導(dǎo)電薄膜。對制備的薄膜進(jìn)行了圖形化刻蝕研究，通過優(yōu)化曝光能量、顯影時間、刻蝕液和刻蝕條件刻蝕出形貌良好單邊偏差為0.95um的觸控電極。為了改善觸控電極的硬度、粘附性和抗氧化能力，對電極旋涂OC保護(hù)層，對比其性能，OC保護(hù)層可以提高以上各項(xiàng)性能。
　　其次，使用銀納米線材料制各了方塊電阻為0.65Ω/□的低方塊電阻薄膜，對比只用溶膠-凝膠方法和溶膠-凝膠與刮涂

3、方式相結(jié)合的工藝，證明了通過溶膠-凝膠與刮涂方式相結(jié)合的工藝可以得到更加均勻的薄膜，并對其做了SEM與FIB表征。參考透明導(dǎo)電電極的曝光條件，優(yōu)化了制備低電阻電極時的刻蝕條件，單邊偏差接近0。其粘附性良好，對其高溫穩(wěn)定性能進(jìn)行研究，發(fā)現(xiàn)在空氣中溫度超過250攝氏度氧化迅速，隔絕空氣時溫度達(dá)到300攝氏度銀納米線發(fā)生熔化斷裂。
　　最后，為了解決工藝中觸控電極斷線的問題，通過控制銀納米線分散液拉膜方式，制備了陣列取向的銀納米線薄膜，