CdS納米線制備及其在光電極中的應(yīng)用.pdf

1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文CdS納米線制備及其在光電極中的應(yīng)用姓名：楊金堅(jiān)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：趙高凌20050101浙江大學(xué)碩J‘論文為多晶，研究結(jié)果不理想。之后，采用溶劑熱法來(lái)制備CdS納米線、納米棒。溶劑熱法以乙二胺為溶劑，通過(guò)對(duì)修飾劑含量、反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度的系統(tǒng)研究最終得到了大面積、高純度的單晶CdS納米棒、納米線。且納米線的尺寸通過(guò)實(shí)驗(yàn)條件能夠得到比較好的控制。在修飾劑含量在O039／50ml溶劑，反應(yīng)溫度為18

2、0℃的條件下，反應(yīng)時(shí)削為96t1得到了長(zhǎng)約為79in，直徑約為90nm的均勻CdS納米線；反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)到144h得到了氏約為13pm，直徑約為85rim的均勻CdS納米線。反應(yīng)溫度提高到為250。C的條件F，反應(yīng)時(shí)間為96h得到了長(zhǎng)約為20I_tm，直徑約為80nm的均勻CdS納米線，長(zhǎng)徑比達(dá)到250。對(duì)修飾劑含量、反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度等實(shí)驗(yàn)參數(shù)及相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析，摹本分析出了納米線形成的機(jī)理及其形成條件。第三部分研究了多jLTi02

3、薄膜光電極、CdS納米線聚合物薄膜／多孔Ti02薄膜光電極、CdS納米線聚合物薄膜／致密Ti02薄膜光電極、CdS納米線聚合物薄膜光電極四種光電極的光電性能。研究發(fā)現(xiàn)多孑LTiO：薄膜光電極，多孔的存在有利于擴(kuò)展光響應(yīng)范圍。CdS聚合物薄膜與Ti02薄膜復(fù)合制各電極，有利于光生載流子的分離，使光電流增大及起動(dòng)滯后現(xiàn)象減弱。隨著CdS納米線長(zhǎng)徑比的增大，光電流起動(dòng)滯后現(xiàn)象有減小的趨勢(shì)。關(guān)鍵詞：Yi02多孔薄膜；溶膠一凝膠法；CdS納米線；