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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著電子元件技術(shù)的飛速發(fā)展,軍用設(shè)備上應(yīng)用了大量電子元件,增加了軍用設(shè)備的易摧毀性。等離子體由于其自身特性在高功率微波防護(hù)方面有著顯著的優(yōu)勢(shì)。
時(shí)域譜元法(Spectral-Element Time-Domain,SETD)是有限元方法的一種特殊形式,它以有限元方法為基本思想,主要的區(qū)別是選取了不同的基函數(shù);它的優(yōu)點(diǎn)是具有“譜精度”,隨著基函數(shù)多項(xiàng)式階數(shù)的提高,計(jì)算誤差將呈指數(shù)趨勢(shì)下降。本論文基于時(shí)域譜元法,對(duì)等離子體器件
2、和非磁化等離子體器件的傳輸特性進(jìn)行了數(shù)值分析和研究。
本文分別闡述了非磁化和磁化的等離子體濾波器和限幅器的基本原理,等離子體濾波器主要采用了層狀結(jié)構(gòu);等離子體限幅器采用矩形波導(dǎo)帶縫隙的結(jié)構(gòu),縫隙附近的局部電場(chǎng)會(huì)劇烈增強(qiáng),當(dāng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大于氣體擊穿電場(chǎng)閾值時(shí),縫隙附近的氣體會(huì)電離擊穿,電子密度會(huì)迅速上升,當(dāng)達(dá)到截止密度,即生成等離子體。本文分析了等離子體頻率和等離子體回旋頻率對(duì)器件S參數(shù)的影響。
最后,總結(jié)了本文的
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