單根SnO2納米線器件的電輸運(yùn)及氣敏性質(zhì)研究.pdf

1、具有四方金紅石結(jié)構(gòu)的SnO2納米線是一種直接寬帶隙的N型半導(dǎo)體材料，在室溫下的禁帶寬度為3.6 eV。同時(shí)由于納米線的形貌結(jié)構(gòu)擁有大的比表面積、高的表面活性以及量子尺寸效應(yīng)等特點(diǎn)具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)性能，使其在氣敏傳感器、紫外光探測(cè)器、太陽能電池材料以及鋰電池等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用價(jià)值。在本論文中，我們通過交流電場(chǎng)組裝的方法成功構(gòu)筑了基于肖特基接觸的單根SnO2納米線器件，通過退火處理和紫外光輻射的方法研究了調(diào)控單根SnO2納米線電流輸運(yùn)

2、特性的因素。在納米線的輸運(yùn)特性的基礎(chǔ)上，我們?cè)诓煌瑮l件下測(cè)試了單根SnO2納米線器件的氣敏特性。具體的研究?jī)?nèi)容如下幾點(diǎn):
　　在第二章我們利用化學(xué)氣相沉積的方法合成出了SnO2納米線，通過對(duì)納米線的形貌和結(jié)構(gòu)的表征，我們得出了納米線的生長(zhǎng)過程符合VLS機(jī)理。并通過熱燒結(jié)的方法成功的在納米線上負(fù)載了粒徑在20 nm左右的金納米顆粒，最后利用交流電場(chǎng)組裝的方法構(gòu)筑了單根SnO2納米線器件。
　　在第三章中，我們通過對(duì)構(gòu)筑成功的單

3、根納米線器件進(jìn)行不同溫度的退火處理后發(fā)現(xiàn):隨著退火溫度的升高，一部分器件由肖特基接觸逐步轉(zhuǎn)化為歐姆接觸，而另外一部分器件則仍是肖特基接觸。隨后我們對(duì)不同接觸類型的納米線器件在紫外光照射下進(jìn)行電學(xué)測(cè)試得到結(jié)果:基于肖特基接觸的器件相比于歐姆接觸的器件對(duì)紫外光有很高的靈敏度和快速的響應(yīng)速度，對(duì)紫外光的靈敏度高達(dá)4個(gè)數(shù)量級(jí)，我們分析上述原因可能是兩種接觸類型的器件對(duì)紫外光響應(yīng)機(jī)理不同造成的。
　　第四章我們對(duì)不同接觸類型的器件在不同條件

4、下，分別對(duì)10 ppm的H2S和100 ppm的CO做了氣敏實(shí)驗(yàn)測(cè)試:在相同的溫度條件下，肖特基型器件對(duì)H2S的靈敏度比歐姆型器件提高了將近2個(gè)數(shù)量級(jí)，響應(yīng)、恢復(fù)速度也有很大提高，主要是由于納米線的反向電流隨肖特基勢(shì)壘處吸附氧的脫附量呈指數(shù)變化導(dǎo)致的。在紫外光輻射下，氣敏器件對(duì)H2S的靈敏度提高了80％，對(duì)CO的靈敏度提高了317％，響應(yīng)和恢復(fù)速度都有提高，說明紫外光輻射是一種提高器件氣敏性能的有效方法。我們合成了粒徑在20 nm左右的