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1、銅鋅錫硫系化合物納米材料與傳統(tǒng)光吸收層材料銅銦硒(CIS)、碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CIG S)相比,其組成元素自然界儲(chǔ)量豐富,不含有毒元素In、Ga、Cd等,擁有和CIGS相類似的光電性能,帶隙值可在1.0 eV-1.6 eV之間調(diào)節(jié),并具有高吸收系數(shù)(可見光波段吸收系數(shù)104-105cm-1),是一種理想的薄膜太陽能電池光吸收層材料。本論文主要研究了一種快速的合成技術(shù)—微波合成技術(shù),來合成Cu2ZnSnS4(CZTS)納米晶,
2、并利用室溫離子液體的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)與微波合成技術(shù)相結(jié)合制備Cu2ZnSn(SxSe1-x)4(0≤x≤1)納米晶。對(duì)制得的銅鋅錫硫系納米晶進(jìn)行了物相、結(jié)構(gòu)和性能分析,論文主要得到了以下結(jié)果:
1.油胺作溶劑,研究低、中、高三個(gè)功率下微波加熱制備出的CZTS納米晶的特征和性能,發(fā)現(xiàn)中火加熱7 min時(shí)CZTS相開始形成,隨著反應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng),不同條件下得到的樣品中雜質(zhì)逐漸減少,CZTS相的純度越來越高,樣品的晶粒尺寸較小。產(chǎn)物顆粒的形貌受
3、微波功率的影響:中火功率反應(yīng)13min得到了大小均勻的球狀CZTS顆粒,平均粒徑約23.68 nm;高火功率加熱13 min所得樣品為均勻的板條狀結(jié)構(gòu),條狀結(jié)構(gòu)長(zhǎng)約400 nm,條狀結(jié)構(gòu)由晶粒尺寸為10nm左右的小納米晶組。這兩種納米晶的光學(xué)禁帶寬度約為1.51 eV和1.5 eV,達(dá)到最優(yōu)。并推測(cè)了CZTS晶體的形成機(jī)理。本實(shí)驗(yàn)過程簡(jiǎn)單易操作,對(duì)設(shè)備要求低。
2.采用微波輔助離子液體法合成CZTS納米晶,溶劑選用1-丁基-3
4、-甲基咪唑四氟硼酸鹽(BmimBF4)。此條件下的CZTS納米晶較油胺作溶劑制得的樣品結(jié)晶度更高,純度更好,粒徑更大。不同條件下得到的納米晶的晶粒尺寸和光學(xué)禁帶寬度值隨著反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)逐漸變大。并且觀察到中火功率下加熱2min得到的納米晶是一種碳包覆結(jié)構(gòu)的CZTS納米晶,晶粒尺寸為32.86 nm,樣品的光學(xué)禁帶寬度計(jì)算值為1.5 eV。本實(shí)驗(yàn)在合成時(shí)間上取得了很大的進(jìn)步,最佳加熱時(shí)間縮短到2min。
3.離子液體BmimBF
5、4作溶劑時(shí)可以合成高結(jié)晶性的Cu2ZnSnSe4納米晶。中火功率下加熱2 min制備出的Cu2ZnSnSe4納米晶的晶粒尺寸為27.1nm,光學(xué)帶隙值為1.2 eV。在此實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)上,引入不同含量的S和Se元素,通過微波輔助離子液體法成功制備出CZTSSe納米晶體,并對(duì)其進(jìn)行了Raman、HRTEM、紫外可見光吸收測(cè)試,發(fā)現(xiàn)隨著S含量的增加,Raman圖譜上在拉曼頻移334 cm-1處的峰強(qiáng)逐漸增高,(112)晶面對(duì)應(yīng)的晶面間距逐漸減小,
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