CoFe2O4陶瓷基磁電復合膜的制備與性能研究.pdf

1、磁電復合材料通常同時具有鐵電性和鐵磁性，當這兩種有序量發(fā)生耦合時復合材料會產生磁電效應。因此，其在換能器、傳感器及存儲器等微型器件中有很好的應用前景。本論文的主要工作是研究室溫下CoFe2O4陶瓷基磁電復合結構及其“磁控電”行為。論文首先分別探索了組成磁電復合結構的鐵電相和鐵磁相的制備工藝，通過溶膠-凝膠法制備得到連續(xù)的PbZr0.52Ti0.48O3膜（PZT），采用放電等離子體燒結方法制備得到致密的CoFe2O4陶瓷（CFO），同時

2、優(yōu)化它們的工藝參數以獲得性能優(yōu)異的鐵電、鐵磁相。然后，室溫下采用溶膠-凝膠法在拋光的CFO陶瓷上生長PZT薄膜，并研究這種PZT/CFO膜/陶瓷結構的“磁控電”行為，最后，通過研究PZT厚度效應和引入LaNiO3底電極來優(yōu)化PZT/CFO復合結構的性能。通過研究可知：“鐵電膜/鐵磁陶瓷基片”復合結構表現出明顯的磁電效應，磁電耦合系數αE31隨直流磁場的變化規(guī)律與CFO的磁致伸縮變化率隨直流磁場的變化關系一致，這表明該復合結構中的耦合機制