超聲橢圓振動輔助拋光硅片表面形貌與材料去除仿真.pdf

1、集成電路（Integrate Circuit）作為電子產(chǎn)品的主要部件，其主要基底材料—單晶硅片的加工質(zhì)量，在一定程度上影響著電子產(chǎn)品的性能。目前，由于電子產(chǎn)品性能越來越好，對IC的集成度也提出了更高的要求，要求硅片的刻蝕線寬越來越細、表面平坦度越來越高。為了降低硅片的制造成本，提高硅片產(chǎn)量，硅片的直徑越來越大。與之相反，電子產(chǎn)品卻要求芯片向小型化、薄型化方向發(fā)展，這給硅片加工，尤其是拋光加工帶來了許多亟待解決的問題。因此，探索一種提高單

2、晶硅片的加工表面質(zhì)量及材料去除效果的加工方法，顯得尤為突出。超聲振動輔助加工由于其拋光力小、材料去除率高、對材料表面損傷小等優(yōu)點，而得到較為廣泛應用。鑒于此，本文在傳統(tǒng)的固結磨?；瘜W機械拋光方法的基礎上，引入超聲橢圓振動輔助加工技術，并開展了加工實驗及仿真分析。
　　本研究對硅片拋光技術及超聲輔助加工原理及進行了概述，對超聲加工中加工工具的橢圓振動軌跡進行了仿真。其次，對超聲橢圓振動輔助拋光裝置的主要部件及工作原理進行了介紹。在此

3、基礎上，對固結磨粒拋光片的表面形貌、硅片拋光表面形貌及材料去除分別建立了數(shù)學建模，并利用MATLAB軟件對施加超聲振動輔助拋光和傳統(tǒng)拋光硅片表面形貌及材料去除效果進行對比分析,得出超聲橢圓振動輔助拋光硅片的表面質(zhì)量更優(yōu)、材料去除率更高。最后，研究了硅片拋光壓力對超聲橢圓振動輔助拋光硅片表面質(zhì)量及材料去除效果的影響，并得出了一些理論及工藝規(guī)律。通過仿真與實驗研究，為實際加工中提高硅片拋光表面質(zhì)量及材料去除效果提供了一定的，可供參考的理論。