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1、近年來(lái),對(duì)TiO2光陽(yáng)極材料進(jìn)行大量研究,發(fā)現(xiàn)其光吸收能力較低和電子-空穴的復(fù)合幾率較大,這兩大問(wèn)題一直抑制著光陽(yáng)極的光電性能的提高。然而,增強(qiáng)光陽(yáng)極材料的電子傳輸能力以降低其電子-空穴復(fù)合幾率,提高光陽(yáng)極的透光率以增加其太陽(yáng)光透射量,從而激發(fā)出更多光電子,這都有利于提高光陽(yáng)極材料的光電性能。因此,本文以提高透明TiO2光陽(yáng)極的激發(fā)光電子的能力為研究?jī)?nèi)容。關(guān)于光陽(yáng)極采用三種制備方法,即在導(dǎo)電玻璃FTO上陽(yáng)極氧化Ti膜制備透明TiO2納米
2、管陣列膜、料漿刮涂法制備TiO2納米多孔膜、料漿刮涂法制備TiO2納米帶/TiO2納米顆粒復(fù)合膜。其具體研究?jī)?nèi)容如下:
(1)在導(dǎo)電玻璃FTO上陽(yáng)極氧化Ti膜制備透明TiO2納米管陣列膜光陽(yáng)極。首先,采用合理的磁控濺射參數(shù),在導(dǎo)電玻璃 FTO上沉積一層厚度約1170nm且質(zhì)量良好的Ti膜。然后,根據(jù)0.5wt.%NH4F+5vol.%H2O+乙二醇的電解液配比,在FTO上進(jìn)行陽(yáng)極氧化鈦膜制備透明TiO2納米管。根據(jù)陰極鉑電極的
3、規(guī)格大小,判斷均勻與非均勻電場(chǎng)對(duì)TiO2納米管形貌及與之對(duì)應(yīng)的I-t曲線的影響。比較在鈦箔和FTO上陽(yáng)極氧化制備納米管過(guò)程中I-t曲線變化,得出在多孔膜穩(wěn)定生長(zhǎng)后期FTO上制備納米管時(shí)電流會(huì)突然上升,這是由于Ti膜的厚度一定,阻擋層的溶解貫穿,露出FTO導(dǎo)電面,電流突然增大。SEM和紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)分別表征不同氧化電壓下制備的納米管的形貌和透光率的大小,在18V時(shí)納米管的管結(jié)構(gòu)最理想,透光率高。
?。?)采用料漿刮涂法制備Ti
4、O2納米多孔膜光陽(yáng)極。首先制備分散均勻穩(wěn)定的TiO2料漿,其配比為P25粉:水=1:10,六偏磷酸鈉含量為0.3wt.%,然后刮凃成 TiO2納米多孔膜。根據(jù) SEM、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)、XRD等表征手段測(cè)試多孔膜的形貌、透光率和晶型,確定2層為最佳刮凃?qū)訑?shù),500℃為最佳退火溫度,此時(shí) TiO2納米多孔薄膜的顆粒大小均勻,結(jié)構(gòu)疏松多孔,沒(méi)有斷層、裂紋以及較大團(tuán)聚等缺陷出現(xiàn),而且膜中銳鈦礦相TiO2量最高,刮凃2層經(jīng)500℃退火處理的光
5、陽(yáng)極的光電流密度最大。
(3)采用料漿刮涂法制備 TiO2納米線/TiO2納米顆粒復(fù)合膜光陽(yáng)極。首先采用水熱法合成TiO2納米線,并對(duì)其形貌和晶型進(jìn)行表征。然后將不同量的TiO2
納米線摻雜到P25粉中按一定的方法制備成復(fù)合料漿,然后刮凃得到TiO2納米線/TiO2納米多孔復(fù)合膜,應(yīng)用SEM、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)、三電極測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行表征,分析不同量的TiO2納米線對(duì)復(fù)合膜的形貌、透光率及光電流密度的影響。從而確定最佳摻
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