第一性原理計算有關低維材料電學特性及其微納電子器件傳輸特性仿真.pdf

1、本篇論文主要針對目前低維材料在工業(yè)應用中遇到的兩個關鍵性問題:石墨烯的零帶隙局限及襯底對其電學特性的影響，并且分別以單層碳化硅材料和氟化石墨烯為切入點嘗試進行解決。本文通過第一性原理計算對于這些類石墨烯二維材料的電學性能及其在電學器件中的應用進行了仿真及預測，具體內(nèi)容包括:對于單層碳化硅材料p-n結傳輸特性的探究，發(fā)現(xiàn)了一個峰谷比大于104的差分負阻現(xiàn)象，并且在很寬的整流區(qū)間內(nèi)發(fā)現(xiàn)了整流比高達104以上的整流現(xiàn)象，預測了其在微納器件及下

2、一代柔性器件中的應用前景;以及對于氟化石墨烯其氟化機理的分析，預測在ICP激發(fā)含氟氣體氟化石墨烯的過程中，使用SF6氣體能夠得到更高質(zhì)量的氟化石墨烯，并且對于氟化石墨烯在石墨烯高敏分子傳感器中的應用作出了一定的預測性研究，發(fā)現(xiàn)石墨烯下表面加入氟原子指向石墨烯的單層氟化石墨烯C4F有可能對于有毒氣體的探測起到非常好的增強效果。通過文中一些仿真的分析及預測，對于實驗工作者提供了一定的指導意義以及啟發(fā)，為目前工業(yè)領域的一些待解決問題提供了可行