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文檔簡(jiǎn)介
1、自2004年發(fā)現(xiàn)石墨烯以來(lái),石墨烯及其復(fù)合納米材料在材料科學(xué)、納米電子學(xué)等領(lǐng)域引起了人們的極大關(guān)注。石墨烯是世界上最薄的二維材料,并具有獨(dú)特的電學(xué)性能、良好的穩(wěn)定性和高的長(zhǎng)徑比,這使其成為良好的場(chǎng)發(fā)射材料。但石墨烯存在的一些缺點(diǎn)也是我們不能忽視的,比如其非剛性結(jié)構(gòu)導(dǎo)致容易聚合。所以科研人員花費(fèi)了大量的精力來(lái)研究以石墨烯為基底的復(fù)合材料,通過(guò)與其他材料的復(fù)合,克服自身缺陷,發(fā)揮自身的優(yōu)勢(shì)。本論文中,分兩部分分別研究石墨烯/ZnSe復(fù)合物、
2、石墨烯/硅錐復(fù)合物的制備及其光電特性。
1.我們利用水熱法在石墨烯薄膜表面生長(zhǎng)出ZnSe微米球,形成石墨烯/ZnSe復(fù)合材料并研究其光電性能。實(shí)驗(yàn)中我們發(fā)現(xiàn)不同濃度的EDTA對(duì)復(fù)合物的形貌及光學(xué)性能都產(chǎn)生較大的影響。當(dāng)EDTA濃度為0.30M時(shí),大量像仙人球一樣的ZnSe微米球生長(zhǎng)在石墨烯薄膜表面,并且其平均直徑大約為10μm;當(dāng)EDTA濃度為0.45M時(shí),ZnSe微米球的形狀像蜂巢一樣,而不是長(zhǎng)成仙人球狀。通過(guò)XRD圖譜,我
3、們可以得出形成的ZnSe微米球?yàn)榱⒎介W鋅礦結(jié)構(gòu)。對(duì)復(fù)合物的光學(xué)性能研究發(fā)現(xiàn)該復(fù)合物在225nm處有最大的紫外可見(jiàn)吸收光;在468nm處存在最強(qiáng)的近帶邊發(fā)射峰。
2.我們通過(guò)LP-CVD法在銅箔表面制備出了大面積石墨烯薄膜,并用離子束轟擊方法制備了硅納米錐陣列,最后分別將石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到硅晶圓和硅納米錐陣列表面并研究其場(chǎng)發(fā)射性能。材料的場(chǎng)增強(qiáng)因子與發(fā)射體形狀和幾何參數(shù)相關(guān)。由于石墨烯薄膜的曲率與硅錐尖端的曲率是一致的,因此它們具
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