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1、信息技術(shù)的迅速發(fā)展對(duì)電子元件的性能提出了更高的要求,而電子元件的封接技術(shù)則是影響元件性能的主要因素之一。在眾多的封接材料中,硼酸鹽體系封接玻璃具有封接溫度低,化學(xué)穩(wěn)定性好,技術(shù)含量和附加值高等優(yōu)點(diǎn),在未來(lái)低溫?zé)o鉛封接玻璃材料的發(fā)展中具有廣闊的應(yīng)用前景。但與傳統(tǒng)含鉛封接玻璃相比,這類(lèi)封接玻璃在穩(wěn)定性和低溫性等方面存在明顯的差距。針對(duì)這一現(xiàn)狀,本論文以B2O3-ZnO-Bi2O3玻璃體系為研究對(duì)象,探討了P2O5,V2O5和BaO等的添加對(duì)
2、該體系抗彎強(qiáng)度、耐水性、軟化溫度、熱膨脹系數(shù)的影響,并進(jìn)行了相關(guān)的機(jī)理探討,進(jìn)而將優(yōu)化后的玻璃應(yīng)用于銀電極材料的制備,探討了玻璃粉體的加入量和燒結(jié)溫度對(duì)電極材料性能的影響。主要研究結(jié)果如下:
1.P2O5以玻璃形成體的方式參與玻璃網(wǎng)絡(luò)的形成,由于[PO4]中P=O雙鍵的存在,導(dǎo)致玻璃結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性變差。隨P2O5添加量的增加,玻璃體系的熱膨脹系數(shù)由不含 P2O5時(shí)的7.19×10-6/℃升高到7.49×10-6/℃,軟化溫度由4
3、92℃降低到481℃,而抗彎強(qiáng)度由不含 P2O5時(shí)的48.75 MPa下降到35.46 MPa,耐水性測(cè)試后的pH值由8.28升高到9.15;
2.在含有4wt.% P2O5的玻璃中添加 V2O5時(shí),由于V2O5的極化作用明顯,斷開(kāi)玻璃網(wǎng)絡(luò)后獨(dú)立的基團(tuán)逐漸增多;隨 V2O5含量增加,玻璃體系的軟化溫度從487℃降低到465℃,膨脹系數(shù)由7.41×10-6/℃升高到7.78×10-6/℃,耐水性測(cè)試后的pH值由8.54升高到9.
4、22;當(dāng)V2O5含量為4wt.%時(shí),玻璃體系的抗彎強(qiáng)度達(dá)到最大值48 MPa,而當(dāng)V2O5的含量高于8wt.%時(shí),熱處理后玻璃中開(kāi)始析出Zn2SiO4晶體;
3.BaO作為網(wǎng)絡(luò)外體氧化物,加入到含4wt.%V2O5+4wt.%P2O5的玻璃中時(shí),在BaO的添加量低于6wt.%時(shí),由于斷網(wǎng)作用,隨 BaO的添加量的增加,玻璃的軟化溫度由480℃降低到440℃,達(dá)到最小值,膨脹系數(shù)由7.58×10-6/℃升高到7.76×10-6/
5、℃,耐水性和抗彎強(qiáng)度也稍有降低。當(dāng) BaO的添加量高于6wt.%時(shí),隨其含量的升高,集聚作用增強(qiáng),玻璃的軟化溫度升高,熱膨脹系數(shù)降低,但玻璃的強(qiáng)度和耐水性能得到了改善。
4.優(yōu)化后的玻璃配方為(wt.%):3.43%SiO2,5.14%Li2O,35.9%B2O3,30%Zn O,2.56%Al2O3,8.56%Bi2O3,3.56%P2O5,3.7%V2O5,8%BaO,此時(shí)玻璃的軟化溫度為448℃,平均線膨脹系數(shù)7.687
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