應(yīng)變對(duì)磁摻雜拓?fù)浣^緣體Bi2Se3體系磁性和電子結(jié)構(gòu)的影響研究.pdf

1、拓?fù)浣^緣體的發(fā)現(xiàn)備受科學(xué)界的重視，其頑固且不易受一般雜質(zhì)影響的表面態(tài)使其迅速成為近年來(lái)凝聚態(tài)物理和材料科學(xué)研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。尤其是Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3三個(gè)三維強(qiáng)拓?fù)浣^緣體，由于具有大的帶隙和簡(jiǎn)單的表面電子結(jié)構(gòu)這些優(yōu)良的特性，使其在眾多拓?fù)浣^緣體材料中脫穎而出。另一方面，在拓?fù)浣^緣體中引入鐵磁性，破壞時(shí)間反演對(duì)稱性，誘導(dǎo)自旋軌道耦合帶隙,可以實(shí)現(xiàn)量子反?；魻栃?yīng)(QAHE)。目前量子反常霍爾效應(yīng)已經(jīng)在理論預(yù)言的基礎(chǔ)上

2、于2013年被實(shí)驗(yàn)證實(shí)。但是由于小帶隙導(dǎo)致的耗散通道影響量子反?；魻栃?yīng)的觀測(cè),另一方面，較低的居里溫度也會(huì)影響量子反?；魻栃?yīng)的觀測(cè)溫度。因此,為實(shí)現(xiàn)高溫量子反?；魻栃?yīng),找到具有更強(qiáng)鐵磁性和更大帶隙的拓?fù)浣^緣體薄膜成為該領(lǐng)域發(fā)展急需解決的問(wèn)題。
　　本文采用的計(jì)算方法是基于密度泛函理論的第一性原理，我們系統(tǒng)的研究了3d過(guò)渡金屬元素Mn和Cr摻雜拓?fù)浣^緣體Bi2Se3體系在應(yīng)變作用下的電子結(jié)構(gòu)和磁性，期望能夠?yàn)閷?shí)現(xiàn)高溫量子反?；?/p>

3、爾效應(yīng)提供一種新的且方便實(shí)現(xiàn)的調(diào)控方法，具體包括兩方面的研究。
　　1.我們系統(tǒng)的研究了Mn摻雜的6QLs Bi2Se3薄膜在面內(nèi)和面外應(yīng)變作用下的磁性和電子結(jié)構(gòu)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Mn摻雜Bi2Se3體系在面外拉伸應(yīng)變作用下不僅增強(qiáng)了鐵磁性還增大了帶隙(達(dá)到65.6 meV在6％應(yīng)變下)。另外,我們還討論了內(nèi)在的機(jī)制。
　　2.我們系統(tǒng)的研究了Cr摻雜在Bi2Se3塊體材料四種不同的位置時(shí)，面內(nèi)和面外的應(yīng)變效應(yīng)對(duì)體系磁性的影響，結(jié)果