硫化對(duì)CuO納米陣列形貌及Ni2CoS4電化學(xué)性質(zhì)的影響.pdf

1、納米材料在催化、太陽(yáng)能電池及儲(chǔ)能等方面都有著重要的應(yīng)用，硫化是提高納米材料性質(zhì)的一種行之有效的方法。本文研究?jī)?nèi)容分為兩部分，以硫化對(duì)單金屬化合物及雙金屬化合物形貌和電化學(xué)性質(zhì)方面的影響為核心。第一部分研究了氣相沉積法一步可控合成氧化銅納米陣列，通過(guò)硫化的方式使其轉(zhuǎn)化形成硫化亞銅，研究了此轉(zhuǎn)化過(guò)程中硫化對(duì)納米陣列形貌的影響；第二部分研究了水熱法合成鎳-鈷雙金屬化合物，為提高其電化學(xué)性能，以該鎳-鈷雙金屬化合物為前驅(qū)物，對(duì)其進(jìn)行不同溫度的硫

2、化，最終合成Ni2CoS4作為超級(jí)電容器電極材料，研究了硫化溫度對(duì)Ni2CoS4電化學(xué)性質(zhì)的影響。
　　本文首先利用氣相沉積的方法于銅基片表面可控生長(zhǎng)形成氧化銅納米陣列，通過(guò)控制反應(yīng)溫度及反應(yīng)時(shí)間，得到了不同生長(zhǎng)密度、不同長(zhǎng)度及不同直徑的氧化銅納米陣列，研究了實(shí)驗(yàn)條件對(duì)氧化銅納米陣列的生長(zhǎng)密度、平均長(zhǎng)度以及平均直徑的影響。對(duì)合成的氧化銅納米陣列進(jìn)行硫化處理，得到了特殊的云杉式結(jié)構(gòu)的硫化亞銅，該方法與直接在銅的表面生長(zhǎng)硫化亞銅陣列的

3、合成過(guò)程相比，對(duì)樣品形貌的可控性更高，并且所得樣品更有利于與電解液的接觸，為其在電化學(xué)上的應(yīng)用提供了可能。其次，利用水熱法在炭布上合成片狀鎳-鈷雙金屬化合物作為前驅(qū)物，為改善其電化學(xué)性能，通過(guò)不同溫度的硫化處理后，得到了作為電化學(xué)活性物質(zhì)的Ni2CoS4，研究了硫化溫度對(duì) Ni2CoS4電化學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明，硫化過(guò)程的溫度影響著Ni2CoS4的最終形貌，并且，硫化溫度為100℃時(shí)所得Ni2CoS4樣品的電化學(xué)性質(zhì)最佳，最佳硫化溫度