BaTiO3薄膜的電阻開關(guān)特性的研究.pdf

1、在今數(shù)字化、信息化、智能化已經(jīng)廣泛普及，存儲器也已經(jīng)非常廣泛地應(yīng)用于我們生產(chǎn)生活的各方各面，并且隨著時代和技術(shù)的不斷向前發(fā)展，存儲器對我們的作用越來越重要，我們對存儲器的要求也越來越高。這使得我們要追求小型化、存儲密度更高、讀寫更快、壽命更長和功耗更低的存儲器。為了獲得更加優(yōu)異特性的新型存儲器，許多研究者們都在探尋常規(guī)非易失存儲器的替代品。在研究中發(fā)現(xiàn)，許多過渡金屬氧化物，鈣鈦礦氧化物和有機物等都存在電阻開關(guān)的特性，它們都具有應(yīng)用于非易

2、失性阻變存儲器的潛能。電阻開關(guān)的內(nèi)涵非常豐富，機理也各有差異，并且許多機制到目前為止還沒有完全研究清楚，甚至存在很多爭議。
　　BaTiO3是一種重要的鈣鈦礦氧化物半導(dǎo)體材料，顯現(xiàn)出很多吸引人的特性，越來越多的人關(guān)注它。BaTiO3具有較高的介電常數(shù)、良好的鐵電、壓電性能以及電阻開關(guān)特性，主要用于制造高容多層電容器、多層基片、各種傳感器、半導(dǎo)體材料和非易失性阻變存儲器。本文主要包括以下內(nèi)容：
　　采用磁控濺射鍍膜技術(shù)制備了C

3、u/BaTiO3/Ag三明治結(jié)構(gòu)的阻變存儲器件，通過X射線衍射儀(XRD)分析薄膜的物相。掃描電子顯微鏡(SEM)測量薄膜的橫截面的厚度。進一步應(yīng)用Keithley2400或者電化學(xué)分析儀對其進行阻變性能測試。器件表現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能，包括高的開關(guān)比、很強的抗疲勞性和很長的保持記憶特性。根據(jù)測得器件的電學(xué)性質(zhì)I-V曲線，可知器件的電阻開關(guān)是雙極性的，并且應(yīng)用電子的俘獲和釋放模型來解釋所得到的雙極性電阻開關(guān)的性質(zhì)。最后，我們利用磁控濺射的