Sb-Te基薄膜的摻雜改性及其可逆相變特性研究.pdf

1、相變材料作為可重復擦寫相變存儲器和相變光盤的信息存儲介質，由于其相變速度快、功耗低、密度高等優(yōu)點，在新一代非易失性存儲技術中得到了越來越廣泛的關注。Ge2Sb2Te5(GST)材料是目前應用最廣泛的相變材料之一，但其在操作速度和熱穩(wěn)定性等方面的還存在一些問題。Sb-Te系列材料是相變材料體系中的一個重要材料體系，其結晶速率比GST快，熔點比GST低，近年來受到科研工作者的廣泛關注。但是Sb-Te材料體系的結晶溫度較低，不能長時間保存數(shù)據(jù)

2、。本文針對二元Sb-Te材料體系的熱穩(wěn)定性等問題，利用摻雜改性的方式來提高其性能，同時保持較快的相變速度。通過研究，本論文取得的研究結果主要有：
　　1.Sb2Te材料的摻雜改性研究。主要研究了具有較高熱穩(wěn)定性的SiX-Sb2Te(X為O,N,C)材料。SiX的引入，有效的抑制了 Sb2Te材料的結晶，使材料的晶粒更加細化，提高熱穩(wěn)定性。同時基于SiX-Sb2Te材料的器件單元可在10 ns下實現(xiàn)擦、寫操作，高低阻值差值接近兩個數(shù)

3、量級。
　　1）Sb2Te–SiO2材料的結晶溫度能達到200℃以上，十年保持溫度在130℃左右，提高了Sb2Te材料的非晶態(tài)熱穩(wěn)定性?；赟b2Te–SiO2材料的PCM,SET/RESET操作速度最快可達10 ns，說明Sb2Te–SiO2材料依然具有Sb2Te材料相變速度快的特點。
　　2）Sb2Te–SiNx材料的結晶溫度能達到220℃以上，十年保持溫度在140℃左右。同時，基于Sb2Te–SiNx材料的PCM能在8

4、ns完成SET/RESET,具有相變速度快的特點。
　　3）Sb2Te–SiC材料的結晶溫度能達到250℃以上，十年保持溫度在150℃左右。基于Sb2Te–SiC材料的PCM,能夠循環(huán)操作四萬次以上。
　　2.WxSb3Te材料研究。在WST材料中，摻入的W部分替代了Sb3Te中的Sb原子或者Te原子，抑制了原子擴散，細化了晶粒，從而提高了光學帶隙寬度。隨著W含量的增加，此材料的結晶溫度和十年數(shù)據(jù)保持溫度都在升高，表現(xiàn)出較好