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文檔簡介
1、隨著傳統(tǒng)硅基電子器件的尺寸不斷縮小,當(dāng)它們的尺寸逼近納米數(shù)量級時,將面臨因量子效應(yīng)(如隧穿,散射和電子干涉等)而產(chǎn)生的一系列難以逾越的挑戰(zhàn)。解決上述問題的出路之一在于發(fā)展分子尺度的電子器件(分子電子器件)。掃面探針顯微術(shù)和量子化學(xué)計算的發(fā)展為研究分子電子器件提供了強有力的工具。盡管目前對分子電子器件的研究已經(jīng)取得了一些重要進展,但關(guān)于功能分子在器件中的行為、分子的電子輸運機理等一些最基本的問題還缺乏全面深入的認識。因此研究分子的這些性質(zhì)
2、對分子電子器件的設(shè)計和優(yōu)化具有非常重要的意義。
本文利用Hartree-Fock方法在引入外電場的條件下對典型的分子導(dǎo)線聚噻吩體系進行了理論模擬。結(jié)果證明共軛分子導(dǎo)線的幾何與電子結(jié)構(gòu)都對外電場比較敏感。當(dāng)電場強度增加,碳碳單鍵縮短同時碳碳雙鍵增長,表現(xiàn)出了增大的共軛特性。HOMO-LUMO能隙隨著電場的增強減小,而體系的偶極矩表現(xiàn)出增大的現(xiàn)象。模型的分子軌道電子云分布也進行了一定的分析。所研究的所有的特性都隨電場的線性增加而指
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