體硅背多義性蝕型L波段FBAR濾波器設計.pdf

1、由體硅背刻蝕型FBAR組成的濾波器能夠滿足目前高性能射頻前端濾波的要求，是一種全新的射頻濾波器解決方案?；赬X機構給出的技術指標，結合工藝約束條件，設計了一個中心頻率1.532GHz、帶寬20MHz、帶內插損2dB、帶內波動0.7dB、帶外抑制42dB的體硅背刻蝕型L波段FBAR濾波器。在設計中，針對FBAR濾波器的溫度穩(wěn)定性、窄帶寬指標、高頻以及高集成度時的電磁干擾問題，給出了相應的解決方案。
　　為了提高FBAR的溫度穩(wěn)定性

2、，本文設計了一種外置式的溫度補償結構FBAR，外置溫度補償層除了能夠改善FBAR的溫度穩(wěn)定性之外，還能實現支撐層結構增強、FBAR諧振頻率后處理工藝修調的功能。分析了補償層對FBAR溫度-頻率漂移的影響，通過合理地調節(jié)補償層的厚度，使得FBAR的頻率溫度系數絕對值從未添加補償層時的15.87/℃降為0.86/℃，有效地提高了FBAR的溫度穩(wěn)定性。
　　為了滿足FBAR濾波器的窄帶寬指標，本文提出了一種以級聯兩中心頻率不同的FBAR

3、濾波器為主，輔以提高并聯/串聯FBAR諧振面積比、增加壓電疊層內普通聲學層厚度的窄帶寬FBAR濾波器設計方法。根據各指標的制約關系，得出了綜合滿足帶外抑制、帶內插損、帶內波動指標以及器件可靠性的20MHz窄帶寬FBAR濾波器設計流程。
　　針對FBAR濾波器在緊湊空間內集成有多個FBAR單元的結構特點，本文提出了一種FBAR濾波器的電磁兼容性設計。通過推導復合普通聲學層FBAR的等效介電常數，利用高頻電磁仿真軟件實現了FBAR濾波