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文檔簡介
1、透明陶瓷因具有特殊功能和先進陶瓷固有的一些特性,在光學(xué)窗口、激光和光電開關(guān)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。隨著數(shù)字相機和可視移動電話等便攜式設(shè)備的發(fā)展,作為光學(xué)部件的光功能元件也日趨小型化,因此,對更高折射率透明陶瓷的探索仍是熱點。本文采用固相燒結(jié)法制備了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3(BMN)體系陶瓷,表征并分析了其結(jié)構(gòu),繼而設(shè)計了六方、立方BMN和Sn4+摻雜BMN(Sn4+: BMN)的結(jié)構(gòu)模型,采用基于密度泛函理論(Density F
2、unctional Theory, DFT)的贗勢平面波法(Pseudopotential Plane Wave, PP-PW)程序包,分別計算了它們的電子結(jié)構(gòu),分析和探討了其本征光學(xué)性能,并初步預(yù)測了Sn4+:BMN的折射率和透過率等性能,計算結(jié)果與實驗結(jié)果相吻合。主要研究內(nèi)容如下:
(1)采用X射線衍射分析和Raman光譜等測試手段對制備的純BMN體系和Sn4+: BMN體系進行了結(jié)構(gòu)表征。結(jié)果表明:對于純BMN體系,隨燒
3、結(jié)溫度的升高,結(jié)構(gòu)由立方向六方過渡,1600℃時,BMN近乎純六方結(jié)構(gòu);對于Sn4+: BMN體系,隨Sn4+摻量的增加,結(jié)構(gòu)由六方向立方過渡,當(dāng)Sn4+摻量高于10 mol%時,體系為純立方結(jié)構(gòu)。運用Rietveld全譜擬合法分別確定了BMN體系和Sn4+:BMN體系的相結(jié)構(gòu),并對相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)進行了表征,從而設(shè)計了立方、六方BMN以及立方Sn4+:BMN晶體結(jié)構(gòu)模型。
(2)計算了純BMN體系的電子結(jié)構(gòu)并分析預(yù)測了其光
4、學(xué)性能。計算結(jié)果表明:六方BMN具有Eg=2.728 eV的間接帶隙,費米面附近的能帶結(jié)構(gòu)主要由O-2p和Nb-4d軌道的電子態(tài)密度決定;在可見光區(qū),折射率為1.91-2.14,1 mm厚的BMN單晶透過率約為77-83%,并伴隨有一定的色散現(xiàn)象。
(3)計算了Sn4+: BMN體系的電子結(jié)構(gòu)并分析預(yù)測了其光學(xué)性能。電子結(jié)構(gòu)計算結(jié)果表明其具有間接帶隙性質(zhì),費米面附近的能帶結(jié)構(gòu)主要由 O-2p和Nb-4d、Sn-5p軌道的電子態(tài)
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