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文檔簡介
1、由于原子對振動的非簡諧效應(yīng),絕大部分固體都表現(xiàn)出熱脹冷縮的行為,即正膨脹。在實際應(yīng)用中,材料所處的環(huán)境溫度常常是不斷變化的。熱脹冷縮會使材料在經(jīng)歷多次熱循環(huán)后出現(xiàn)熱疲勞,從而縮短其使用壽命。在精密器件中,這一效應(yīng)會嚴重影響器件的精密性和準確性。在密封裝置中,材料熱膨脹不匹配會影響其密封性等。因此在很多情況下,人們都希望所用材料具備優(yōu)秀的結(jié)構(gòu)和尺寸熱穩(wěn)定性,可以對抗熱漲落所帶來的熱應(yīng)力、尺寸失配和精密度降低。所以,具有負膨脹特性的材料(能
2、夠與正膨脹材料復(fù)合制備低膨脹復(fù)合材料)或者具有低膨脹特性的功能材料,在微電子、精密儀器、航空航天、低溫工程等諸多領(lǐng)域都有著重要的潛在應(yīng)用價值,也吸引著越來越廣泛的研究興趣。
ReO3型金屬氟化物是近些年發(fā)現(xiàn)的一類新型的反常熱膨脹(負膨脹、低膨脹)材料體系。其中有些材料(如ScF3)表現(xiàn)出超寬溫區(qū)(大于1000K)的各向同性負膨脹性質(zhì),在所有負膨脹體系中都極為罕見。另外,這類材料結(jié)構(gòu)非常簡單,用來研究負膨脹機理尤為合適。已有的研
3、究通過在陽離子位置化學(xué)摻雜和離子插層等手段對其負膨脹進行了調(diào)控,實現(xiàn)了膨脹系數(shù)從負到正的轉(zhuǎn)變,但未見提高負膨脹性能的實驗報道。理論、實驗研究結(jié)果表明,此類金屬氟化物的負膨脹來源于氟原子的橫向振動。而氟原子占位行為對其橫向熱振動有著重要影響,對其系統(tǒng)研究將有助于深入認識金屬氟化物中反常熱膨脹的物理圖像,也為調(diào)控反常熱膨脹提供新視角。目前這方面研究尚未見報道。
本論文以ReO3型金屬氟化物TiF3,ScF3及NaSbF6為研究對象
4、,通過對其中F離子占位的研究和調(diào)控,獲得了寬溫區(qū)的低膨脹、零膨脹新材料;探索出了穩(wěn)定立方結(jié)構(gòu),調(diào)控膨脹系數(shù)、獲得負膨脹的新方法;還發(fā)現(xiàn)了離子鍵長在影響反常熱膨脹性能方面的類“木桶效應(yīng)”;這些工作為后續(xù)研究提供了參考依據(jù)。論文主要內(nèi)容如下:
1.利用金屬密封-高溫?zé)Y(jié)的方法在TiF3中摻入ZrF4,制備得到常溫為立方結(jié)構(gòu)的Ti1-xZrxF3+x(x=0.1~0.5)固溶體。研究表明所有固溶體的相變溫度都在123K以上無相變,說
5、明立方相得到了穩(wěn)定,且都表現(xiàn)出寬溫區(qū)低膨脹性質(zhì)。其中,Ti07Zr0.3F3.3在123-623K溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出近零膨脹行為,平均線膨脹系數(shù)為0.99ppm/K。通過原子對分布函數(shù)研究,發(fā)現(xiàn)隨著ZrF4引入,部分F離子占位發(fā)生了很大改變,原本TiF3中的八面體晶體場發(fā)生了畸變,緩解了TiF3中的Jahn-Teller效應(yīng),從而阻止了其結(jié)構(gòu)相變。摻入的Zr4+離子半徑較大,軟化了晶格,這一因素有利于負膨脹。另一方面,過量的F會阻礙多面體
6、轉(zhuǎn)動,又不利于負膨脹。兩種因素相互競爭,形成了寬溫區(qū)低膨脹。
2.以陰離子過量的ReO3型化合物TiZrF7為研究對象,通過移除過量的F,觀察到了正膨脹(TiZrF7)-零膨脹(TiZrF6.5)-負膨脹(TiZrF6)的渡越行為。在300-623K溫區(qū)內(nèi),三個樣品的體膨脹系數(shù)分別為8.07ppm/K,0.66ppm/K,-6.09ppm/K。原子對分布函數(shù)研究表明,過量的F被移除后,晶體中多面體的自由轉(zhuǎn)動得以恢復(fù),同時晶格膨
7、脹,從而有利于負膨脹產(chǎn)生。這一結(jié)果為金屬氟化物膨脹系數(shù)的調(diào)控提供了一個新的思路。
3.ReO3型金屬氟化物中的膨脹系數(shù)與原子無序緊密相關(guān)?;诖?,我們通過水熱反應(yīng)法制備了不同晶粒尺寸的ScF3。研究發(fā)現(xiàn),隨著晶粒尺寸減小,ScF3的負膨脹性能逐漸被削弱,且出現(xiàn)了聲子藍移。利用原子對分布函數(shù),我們研究了1μm和80nm樣品的局域結(jié)構(gòu)。發(fā)現(xiàn)ScF3晶粒尺寸減小后F離子靜態(tài)無序占位增強,結(jié)構(gòu)相干性減弱。因此,F(xiàn)原子的橫向協(xié)同振動被削
8、弱,從而負膨脹被抑制。這種通過減小顆粒尺寸引入原子無序來調(diào)控負膨脹的實驗方法對其它聲子型負膨脹材料可能同樣適用。
4.立方結(jié)構(gòu)的NaSbF6中陽離子的最近鄰間距與ScF3和MgZrF6的相當,但是其中的F離子占位有所不同。不同于ScF3(負膨脹)和MgZrF6(零膨脹),我們發(fā)現(xiàn)NaSbF6的立方相具有很大的正膨脹,體膨脹系數(shù)高達62ppm/K。變溫拉曼光譜研究表明,立方結(jié)構(gòu)NaSbF6中F離子橫向振動的頻率相對于MgZrF6
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