氮化鎵異質(zhì)結(jié)二維電子氣溝道中的等離激元.pdf

1、在凝聚態(tài)物理領(lǐng)域，半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)成為重點研究對象，該種結(jié)構(gòu)的特殊物理性質(zhì)在光電子器件方面具有廣闊的應(yīng)用前景。Ⅲ族氮化物具有豐富的物理內(nèi)涵，是研究低維系統(tǒng)的理想結(jié)構(gòu)。AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)由于其高濃度的二維電子氣成為目前研究的新熱點。極化效應(yīng)對AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面處2DEG的形成和調(diào)節(jié)作用不可忽略。本文通過自洽法求得異質(zhì)結(jié)的波函數(shù)和能級分布情況。
　　本論文通過對等離激元性質(zhì)的研究來解釋低維系統(tǒng)中的物理現(xiàn)象。低維

2、結(jié)構(gòu)中的等離激元是一種電子之間相互作用的長程激發(fā)，可以揭示出電子-電子相互作用的機制以及多體效應(yīng)。
　　本文主要研究AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的二維電子氣溝道中的等離激元的存在條件。在三角阱的基礎(chǔ)上，采用無規(guī)相近似方法(RPA)、介電函數(shù)張量理論和線性響應(yīng)理論來研究二維電子氣溝道中等離激元的性質(zhì)。在介電函數(shù)張量理論基礎(chǔ)上得到了二子帶模型和三子帶模型下系統(tǒng)中集體激發(fā)和單粒子激發(fā)存在的條件。在二子帶模型下，得到了基態(tài)子帶內(nèi)和1-2子帶間