基于聚酰亞胺基底的柔性透明導電電極的制備與研究.pdf

1、透明導電電極(TCE)在光電子器件例如顯示、照明以及光伏器件中具有很重要的作用。由于具有高的透過率以及高的電導率，錫摻雜的氧化銦(ITO)成為目前應用最廣泛的透明導電電極。然而由于金屬銦短缺，以及ITO固有的脆性，使得其難以滿足人們對于透明導電電極大量及多樣化的需求。新的透明導電電極得到了人們廣泛的關注，其中柔性透明導電電極更是目前研究的熱點。由于具有高的自由電子濃度，因而在所有室溫環(huán)境的材料中，金屬具有最高的電導率。金屬塊材具有很高的

2、反射率，而超薄金屬具有合適的可見光透過率，但是由于電子在薄膜表面以及晶界的散射導致超薄金屬中的電導率比較低。本文將針對這個問題主要從兩個方面來進行研究：
　　(1)利用種子層來減小金屬表面的粗糙度。本文通過在4nm的銀薄膜下面引入一層2nm厚的金作為種子層，制作出了表面粗糙度小于0.5nm的超薄金屬層。并且測得其方阻為40Ω/sq，通過在其上旋涂不同厚度的ZnO，最終在玻璃基底上制得了在550nm處透過率為82.2％，方阻為35.

3、4Ω/sq的透明導電電極，將該電極應用于無色聚酰亞胺薄膜(cPI)中獲得了在550nm處透過率為80.8%，方阻為35.2Ω/sq并且與PI基底粘附性良好，機械性能良好的超薄金屬疊層柔性透明導電電極。利用該柔性透明導電電極制備了基于F8BT的反式PLED器件，獲得了發(fā)光亮度超過600cd/m2，平均電流效率超過1cd/A的器件。
　　(2)為了進一步地降低方阻，從而制備出能夠應用于大面積光電器件中的透明導電電極，本文在cPI膜上直