高熱導(dǎo)率C-SiC復(fù)合材料的制備與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、C/SiC復(fù)合材料不僅具有低密度、低熱膨脹系數(shù)、高強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率,還具有較高的高溫抗氧化性能,在高超聲速飛行器、導(dǎo)彈鼻錐、衛(wèi)星熱防護(hù)系統(tǒng)、火箭發(fā)動機(jī)噴管等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。隨著宇航科技的快速發(fā)展,這些領(lǐng)域?qū)ζ鋵?dǎo)熱性能也提出來越來越高的要求。本文將首次應(yīng)用一種新型的高導(dǎo)熱炭材料—石墨膜為導(dǎo)熱增強(qiáng)材料,制備高導(dǎo)熱的C/SiC復(fù)合材料,以滿足這種要求。
  本文以高導(dǎo)熱石墨膜、中間相瀝青基炭纖維、聚碳硅烷等為原料采用先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制

2、備了高導(dǎo)熱C/SiC復(fù)合材料,通過對先驅(qū)體聚碳硅烷的結(jié)構(gòu)及其在高溫裂解過程中的演變過程等研究,確定了高導(dǎo)熱C/SiC復(fù)合材料的浸漬、熱模壓、裂解等工藝。采用阿基米德法、三點彎曲法分別計算、測量了復(fù)合材料的密度和彎曲強(qiáng)度,利用XRD、SEM對復(fù)合材料的物料組成、微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征和分析,同時通過四探針電阻率測試儀、激光導(dǎo)熱儀對復(fù)合材料的電阻率、熱傳導(dǎo)率進(jìn)行了表征分析,同時探究了浸漬-裂解周期、裂解溫度、纖維含量對高導(dǎo)熱C/SiC復(fù)合材料各項

3、性能的影響。研究結(jié)果表明:
  1)隨著浸漬-裂解周期的增加,復(fù)合材料內(nèi)的孔隙逐漸被填充、微裂紋等缺陷慢慢減少,使得復(fù)合材料的密度與彎曲強(qiáng)度提高,且復(fù)合材料密度和彎曲強(qiáng)度前期增長較快,后期增長比較慢。
  2)提高裂解溫度可使無定型的基體SiC慢慢消失,從而提高SiC的結(jié)晶程度,優(yōu)化與炭材料的界面,提高復(fù)合材料的界面接觸點,從而提高C/SiC復(fù)合材料的密度、彎曲強(qiáng)度,降低其電阻率。
  3)中間相瀝青基炭纖維的引入增加

4、了與基體的結(jié)合面積,致密程度得到提高,且改善了復(fù)合材料內(nèi)部的結(jié)構(gòu),使得材料的密度提高、彎曲強(qiáng)度提高、電阻率降低。經(jīng)7個浸漬-裂解周期,1200℃裂解溫度下,添加20wt%中間相瀝青基炭纖維制備出的復(fù)合材料密度、彎曲強(qiáng)度、電阻率分別為1.72g/cm3、20.95MPa和23mΩ·cm;
  4)增加浸漬-裂解周期使材料的致密程度提高,聲子通過這種致密、幾乎沒有明顯的缺陷界面時具有較高的傳播速度,使得復(fù)合材料的熱傳導(dǎo)率增加;裂解溫度

5、的提高,提高了SiC的結(jié)晶狀態(tài),弱化了炭材料與基體碳化硅的界面,使SiC均勻地分布在炭材料周圍,從而使得聲子的平均自由程提高,復(fù)合材料的熱傳導(dǎo)率增加;纖維的引入改善了材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu),相比石墨膜先驅(qū)體溶液更易在纖維中浸漬,SiC也更容易在纖維中均勻分布,纖維周圍微裂紋等缺陷較少,聲子在復(fù)合材料內(nèi)部的傳播距離更遠(yuǎn),所制備的復(fù)合材料熱傳導(dǎo)率也更高。添加20wt%在1200℃經(jīng)7個浸漬-裂解周期后復(fù)合材料的熱傳導(dǎo)率為183W·m-1·K-1。<

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