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文檔簡介
1、本文合成出兩種Keggin型磷系三元雜多酸H4PW11VO40·8H2O(PW11V)和H6PW9V3O40·14H2O(PW9V3),并測定了其晶體結構。合成出兩種Dawson型雜多酸H7P2W17VO62·28H2O(P2W17V)和H9P2W15V3O62·28H2O(P2W15V3)。對產(chǎn)物進行了表征。在此基礎上研究了它們的導電性能。結果表明,它們均是高質(zhì)子導體,電導率可以高達10-2 S·cm-1,其導電機理均是Vehicle
2、機理。
以所制備的四種雜多酸、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或聚乙二醇(PEG)、硅酸四乙酯為原料制備得到一系列雜化材料:PVP/PW11V、PEG/PW11V、PVP/PW9V3、PEG/PW9V3(80wt.% Keggin型雜多酸,20 wt.%有機基質(zhì));PVP/P2W17V、PEG/P2W17V、PVP/P2W15V3和PEG/P2W15V3(90 wt.% Dawson型雜多酸,10 wt.%有機基質(zhì));PVP/PW
3、11V/SiO2、PEG/PW11V/SiO2、PVP/PW9V3/SiO2、PEG/PW9V3/SiO2(80 wt.% Keggin型雜多酸,10 wt.%有機基質(zhì)和10 wt.% SiO2);PVP/P2W17V/SiO2、PEG/P2W17V/SiO2、PVP/P2W15V3/SiO2和PEG/P2W15V3/SiO2(90 wt.% Dawson型雜多酸,5wt.%有機基質(zhì)和5wt.% SiO2)。對雜化材料進行了表征并研究其
4、導電性能。結果表明,它們均是高質(zhì)子導體,導電活化能均低于相應的雜多酸,其導電機理均是Grotthuss機理。
首次制得了雜多酸離子液體鹽:[MIMPS]4PW11VO40、[PyPS]4PW11VO40、MIMPS]6PW9V3O40、[PyPS]6PW9V3O40、[MIMPS]7P2W17VO62、[PyPS]7P2W17VO62、[MIMPS]9P2W15V3O62、、[PyPS]9P2W15V3O62、[PyPS]
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