版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士學(xué)位論文氮化鎵分子束外延膜極性與光電性質(zhì)及過渡金屬氧化物超聲特性研究姓名:謝津橋申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師:朱長飛2002.5.1后,在光致發(fā)光譜中低能量區(qū)域的受主能級到導(dǎo)帶的躍遷被有效的去除了,同時帶隙發(fā)光峰也變的很尖銳。半高寬和鎵極性的樣品沒有明顯差異。同樣的現(xiàn)象在光調(diào)制發(fā)射光譜中也發(fā)生。從拉曼光譜中霹模的拉曼位移可發(fā)現(xiàn),對于氮極性的薄膜,引入中溫緩沖層后位移幾乎沒有變化。這表明中溫緩沖層對其
2、中的張應(yīng)力釋放并不_ f 分明顯。相反,對于鎵極性的薄膜,礙模位移明顯,加入中溫緩沖層后向低波數(shù)移動。與理論模型和應(yīng)力完全釋放的實驗數(shù)據(jù)比較,中溫緩沖層可有效的緩解鎵極性氮化鎵薄膜中的壓應(yīng)力。氮化鎵薄膜的電學(xué)性質(zhì)表征主要進行了霍爾遷移率( H a l lm o b i l i t y ) 、噪聲譜( N o i s e ) ,持續(xù)光電導(dǎo)譜( P P C ,P e r s i s tP h o t o c o n d u c t i v
3、i t y ) 的測量。所有樣品的載流子濃度相近,在1 0 ”量級。實驗顯示,氮化鎵薄膜的極性對霍爾遷移率影響很大。氮極性樣品的霍爾遷移牢只有8 2c m 2 V ¨s1 ,而鎵極性的樣品達到2 8 0c m 2 V 。s ~。引入中溫緩沖層后,氮極性樣品的遷移率被大大的提高,達到3 7 7c m 2 V 。s ~,增加近5 倍,而鎵極性的樣品是4 3 0 c m 2 V ’1 s ~,也增加了9 0 %。歐姆型的金屬.半導(dǎo)體
4、接觸是按照標準化的印刷曝光技術(shù)制備的,并選用T i /A I 結(jié)構(gòu)作為低接觸電阻的金屬.半導(dǎo)體接觸。電流.電壓曲線滿足很好的線性關(guān)系,顯示金一半接觸是很好的歐姆型接觸,并且在低溫下也非常穩(wěn)定。室溫和低溫的低頻電眶噪聲譜顯示,在低頒下,噪聲譜表王見為l /f 型噪聲,并月.存在G —R 噪聲。室溫下的噪聲譜顯示,鎵極性的樣品比氮極性的樣品有更低的噪聲。并且加入中溫緩沖層可以使鎵極性的樣品噪聲降的更低。在低溫下多個L o r e n t z
5、 i a 鼓包被發(fā)現(xiàn)。所有數(shù)據(jù)用熱激發(fā)模型( T h e r m a l a c t i v em o d e l ) 擬合,發(fā)現(xiàn)很好的符合理論模型,并且計算出在實驗溫區(qū)內(nèi)三種類型深能級的熱激活能。不同極性的樣品都發(fā)現(xiàn)有兩種深能級,不同的是,鎵極性的樣品具有兩個較小的熱激活能,而氮極性的樣品相反。引入中溫緩沖層后,氮極性樣品的兩個深能級不變,但向低溫區(qū)移動。鎵極性樣品的兩個深能級也向低溫移動,而使其中之一移出了實驗溫區(qū)。按照1 /f 噪
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 氧化物半導(dǎo)體材料的分子束外延生長及其光電特性研究.pdf
- 過渡金屬氧化物的分子束外延生長及其相應(yīng)器件的非易失存儲研究.pdf
- 硅基納米結(jié)構(gòu)及功能氧化物薄膜的分子束外延生長與特性研究.pdf
- 多元氧化物半導(dǎo)體薄膜分子束外延生長及性能研究.pdf
- 硅、鍺襯底上稀土金屬氧化物薄膜的分子束外延生長、結(jié)構(gòu)及其物理特性.pdf
- 鎵銦氧化物薄膜的制備及性質(zhì)研究.pdf
- 鎳錳過渡金屬氧化物梯度材料的合成及性質(zhì)研究.pdf
- 過渡金屬氧化物新型納米結(jié)構(gòu)的合成、表征與性質(zhì)研究.pdf
- 鎵基氧化物-氫氧化物納米材料的制備及性質(zhì)研究.pdf
- 非極性與半極性GaN基氮化物的外延生長及表征研究.pdf
- 過渡和非過渡金屬氧化物對IT--SOFCs陰極性能的影響.pdf
- 強關(guān)聯(lián)體系過渡金屬氧化物的輸運性質(zhì)研究.pdf
- 42720.過渡金屬氧化物團簇與小分子反應(yīng)研究
- 過渡金屬氧化物納米材料結(jié)構(gòu)與光電化學(xué)性能研究.pdf
- 金屬基離子液體中過渡金屬氧化物的設(shè)計及其光電性能研究.pdf
- 過渡族金屬氧化物納米線陣列的發(fā)光性質(zhì)研究.pdf
- 過渡金屬及其氧化物團簇的磁性及催化性質(zhì)研究.pdf
- 納米過渡金屬鐵、釩氧化物的制備及其性質(zhì)研究.pdf
- 金屬氧化物半導(dǎo)體多孔膜材料光電性能評價的研究.pdf
- 氮化錳薄膜的分子束外延生長及磁性表征.pdf
評論
0/150
提交評論