ZnO顆粒膜的制備和特性研究.pdf

1、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士學(xué)位論文ZnO顆粒膜的制備和特性研究姓名：張彬申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：施朝淑付竹西2001.5.1掇瑟自從97年Zn。薄膜紫撲激光發(fā)射的曾次搬導(dǎo)以來(lái)，ZnO薄膜嗷《l了越來(lái)越多的研究者，報(bào)導(dǎo)的文獻(xiàn)邀蟊漸增多，成為國(guó)際上耨興的研究熱點(diǎn)。ZnO是一靜具京六方維穩(wěn)的紓鋅礦晶體，品格常數(shù)為a=03249nm，o=05207nm，室溫下的禁帶寬度336eV；尤其廷它具有擻商韻激子結(jié)合能(60meV)t遠(yuǎn)大于

2、ZnSe(20meY)和GaN(21meV)；此外，ZnO薄膜可啦在低予500。C的溢度下生長(zhǎng)，也比gnSe和G8N的生長(zhǎng)溫度低得多。這些優(yōu)點(diǎn)使Z埔成為剃備短波長(zhǎng)光n一^電子器件的優(yōu)良材料。論文的第一章首先綜述了ZnO薄膜材料在紫辨激光瓣究方面婀背景桶進(jìn)展，歸納了近年采獲褥的一些Sl入注蟊的成就，主要聚焦予薄膜生長(zhǎng)，介紹了離質(zhì)鲞薄膜的獲得和促使ZnO薄膜走向?qū)嵱玫囊恍?shí)驗(yàn)探索。第二章具體闡述了用來(lái)制備ZnO薄膜的熱電子蒸發(fā)系統(tǒng)及其工作原

3、理，在實(shí)驗(yàn)工作幻初期，藐了丈量的對(duì)問(wèn)和精力來(lái)建立薄膜生長(zhǎng)的手段，偌鼢圖書(shū)鑲的資料的和手頭上只鱗片瓜的說(shuō)明書(shū)，通過(guò)反復(fù)摸索，最終饅其正常運(yùn)轉(zhuǎn)。這墼是研究生工作和學(xué)習(xí)中的一大部分內(nèi)容，從中得到了不少的鍛煉和提高。在維修和操作這套系統(tǒng)酎，深感一份配套的手船會(huì)給實(shí)驗(yàn)者帶來(lái)極大的方便，在文中第二章詳盡提供7這套設(shè)備的工作原理。操作步驟，結(jié)構(gòu)示意圖，相關(guān)的電路圖以及改造過(guò)程和理論依據(jù)。除了總結(jié)郟分工乍的霞的外，逐希望這一章能夠經(jīng)后來(lái)的實(shí)驗(yàn)考盡快了解

4、掌握這套系統(tǒng)，少走一些彎路。在完成設(shè)備維修和改造工作之后，進(jìn)章亍了材料生長(zhǎng)耜特性礤究工作，利用這套自已修理瓤改造的設(shè)備，肖計(jì)劃有疆的盼青8作7一系列薄膜樣晶，經(jīng)過(guò)一段時(shí)瀚的的努力，基本剽各癌了納米顳粒膜，囪一系列數(shù)據(jù)，總績(jī)巋獲得納米膜的生長(zhǎng)條件和結(jié)構(gòu)特性，瞬時(shí)還分析了本方法制每的ZnO尊膜的發(fā)光特性，另外正在進(jìn)行Zn。，，Mg。0混晶薄膜的制備及其對(duì)禁潦寬度調(diào)整的研究，已取褥一些避震，文中也繪出了這方蕊獲褥靜初步結(jié)柒。論文的最后部分是對(duì)