液體氯硅烷中硼磷雜質(zhì)高效分離工藝.pdf

1、改良西門(mén)子法是多晶硅的主流生產(chǎn)工藝，其中原料氯硅烷中痕量硼、磷雜質(zhì)的去除較為關(guān)鍵。目前國(guó)內(nèi)主要通過(guò)多級(jí)精餾的分離方法除氯硅烷中痕量的硼、磷雜質(zhì)，由于氯硅烷中痕量硼、磷雜質(zhì)的揮發(fā)度與氯硅烷接近，就不得不在多級(jí)精餾時(shí)加大回流比、減少采出量來(lái)保證質(zhì)量指標(biāo)，以至于產(chǎn)品收率低且產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定，而且用于除硼、磷的能耗和成本居高不下。
　　針對(duì)該問(wèn)題，本文在分析了引起該問(wèn)題的原因和現(xiàn)有除硼、磷工藝的基礎(chǔ)上，首先運(yùn)用Aspen plus軟件對(duì)氯硅

2、烷精制料中痕量硼、磷雜質(zhì)的分離工藝進(jìn)行模擬研究，找出最優(yōu)的工藝條件。初步探索絡(luò)合法和吸附法進(jìn)行高效除氯硅烷中痕量硼、磷雜質(zhì)，找出了高效的絡(luò)合劑與吸附劑。本文主要的研究工作和結(jié)果如下：
　?。?）設(shè)計(jì)模擬了精餾法除氯硅烷精制料中痕量硼、磷雜質(zhì)的工藝過(guò)程，對(duì)相關(guān)工藝參數(shù)（包括塔板數(shù)、回流比、進(jìn)料位置等）對(duì)工藝過(guò)程的影響做靈敏度分析，對(duì)相關(guān)工藝參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，確定了最佳的工藝條件，通過(guò)模擬計(jì)算得最終產(chǎn)品中硼、磷雜質(zhì)均降到幾十個(gè)ppb，基本

3、可以滿足太陽(yáng)能級(jí)原料氯硅烷的需求。
　?。?）研究了絡(luò)合法除氯硅烷中痕量硼、磷雜質(zhì)的過(guò)程，結(jié)合硼、磷雜質(zhì)的絡(luò)合機(jī)理，尋找高效的絡(luò)合劑，發(fā)現(xiàn)三苯基氯甲烷與二苯基卡巴腙按質(zhì)量比為2:1時(shí)混合作為絡(luò)合劑絡(luò)合除氯硅烷中痕量硼、磷雜質(zhì)效果最好，可將氯硅烷中含有幾個(gè)ppm的硼、磷雜質(zhì)降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
　　（3）對(duì)吸附法除氯硅烷中痕量硼、磷雜質(zhì)進(jìn)行了探索性的研究，研究了吸附法除氯硅烷中痕量硼、磷雜質(zhì)的過(guò)程，結(jié)合硼、磷雜質(zhì)的吸附機(jī)理，尋找高