CdZnTe半導(dǎo)體探測器電極研究.pdf

1、目前CdZnTe晶體是制備x射線及γ射線探測器最優(yōu)選的材料。CdZnTe探測器可廣泛用于安檢、工業(yè)探傷、醫(yī)學(xué)診斷、天體X射線望遠(yuǎn)鏡等方面。制備CdZnTe探測器的關(guān)鍵技術(shù)之一就是在CdZnTe表面制備出歐姆接觸的薄膜電極。本文采用直流磁控濺射方法在P型CdZnTe晶體上分別濺射不同金屬作為電極，以期找到能在CdZnTe晶體表面形成良好歐姆接觸的電極材料，為制備高性能CdZnTe探測器打下基礎(chǔ)。論文的主要研究內(nèi)容及結(jié)果如下： 在J

2、GP560C型磁控濺射鍍膜機(jī)上、采用直流磁控濺射法在P型CdZnTe晶體上制備出Au、Cu/Ag、Al、Ti金屬薄膜，通過測試I-V曲線評價其接觸性能，并對其中最好的接觸電極Au進(jìn)行了詳細(xì)研究；揭示了工藝參數(shù)對薄膜沉積速率及性能的影響規(guī)律。結(jié)果表明，隨著濺射功率的增大沉積速率幾乎呈線性增大；采用直流磁控濺射法制備的Au薄膜呈多晶結(jié)構(gòu)；在研究的功率范圍內(nèi)，100W下制備的Au薄膜柱狀晶細(xì)小；在研究的襯底溫度范圍內(nèi)，300℃時Au膜結(jié)晶最好

3、。 采用Agilent4339B高阻儀測試了P型CdZnTe上制備Au后的I-V曲線，并通過I-V曲線來評價接觸性能。結(jié)果表明，在相同的表面狀況下，高濺射功率制備的Au膜具有較好的歐姆接觸性，襯底溫度為300℃時顯示出較好的歐姆接觸性。表面化學(xué)拋光改善了接觸性能；對制備的薄膜進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐嘶鹩欣诮佑|性能的提高。 Au膜的應(yīng)力分析表明，隨著濺射功率增大薄膜應(yīng)力增大；隨著襯底溫度增加薄膜應(yīng)力減?。浑S著熱處理溫度增加薄膜應(yīng)力減